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1. (WO2018061378) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL D'INSPECTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/061378 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/024519
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 04.07.2017
CIB :
G01R 31/302 (2006.01) ,G01N 21/00 (2006.01) ,G01N 21/17 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28
Essai de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
302
Essais sans contact
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
中村 共則 NAKAMURA Tomonori; JP
大高 章弘 OTAKA Akihiro; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-18978428.09.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL D'INSPECTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置
Abrégé :
(EN) Provided is a semiconductor device inspection method for inspecting a semiconductor device, i.e., an object to be inspected, the method including: a step for inputting a stimulus signal to the semiconductor device; a step for obtaining a detection signal corresponding to the response of the semiconductor device to which the stimulus signal has been inputted; a step for generating, on the basis of the detection signal and a reference signal generated on the basis of the stimulus signal, a first in-phase image and first orthogonal image including amplitude information and phase information for the detection signal; and a step for applying a noise-reducing filter process to the first in-phase image and/or first orthogonal image, followed by generating a first amplitude image on the basis of the first in-phase image and the first orthogonal image.
(FR) L'invention concerne un procédé d'inspection de dispositif à semi-conducteurs pour inspecter un dispositif à semi-conducteurs, c'est-à-dire un objet à inspecter, le procédé comprenant : une étape consistant à entrer un signal de stimulus dans le dispositif à semi-conducteurs ; une étape consistant à obtenir un signal de détection correspondant à la réponse du dispositif à semi-conducteurs dans lequel a été entré le signal de stimulus ; une étape de génération, sur la base du signal de détection et d'un signal de référence généré sur la base du signal de stimulus, d'une première image en phase et d'une première image orthogonale comprenant des informations d'amplitude et des informations de phase pour le signal de détection ; et une étape consistant à appliquer un procédé de filtrage de réduction de bruit à la première image en phase et/ou à la première image orthogonale, suivie par la génération d'une première image d'amplitude sur la base de la première image en phase et de la première image orthogonale.
(JA) 被検査体である半導体デバイスの検査を行う半導体デバイス検査方法であって、半導体デバイスに刺激信号を入力するステップと、刺激信号が入力された半導体デバイスの反応に応じた検出信号を取得するステップと、検出信号と、刺激信号に基づいて生成される参照信号とに基づいて、検出信号における振幅情報及び位相情報を含む第1の同相像及び第1の直交像を生成するステップと、第1の同相像及び第1の直交像の少なくとも一方に対してノイズを低減するフィルタ処理を施した後、当該第1の同相像及び当該第1の直交像に基づいて第1の振幅像を生成するステップと、を含む。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)