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1. (WO2018061337) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE PROCESSUS DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM ET GALETTE EN SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/061337 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/021885
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 14.06.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01) ,G01Q 60/24 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956
Inspection de motifs sur la surface d'objets
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
Q
TECHNIQUES OU APPAREILS À SONDE À BALAYAGE; APPLICATIONS DES TECHNIQUES DE SONDE À BALAYAGE, p.ex. MICROSCOPIE À SONDE À BALAYAGE [SPM]
60
Types particuliers de microscopie à sonde à balayage SPM [Scanning-Probe Microscopy] ou appareils à cet effet; Composants essentiels de ceux-ci
24
Microscopie à forces atomiques AFM [Atomic Force Microscopy] ou appareils à cet effet, p.ex. sondes AFM
Déposants :
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Inventeurs :
森 敬一朗 MORI Keiichiro; JP
Mandataire :
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Données relatives à la priorité :
2016-19121229.09.2016JP
Titre (EN) SILICON WAFER EVALUATION METHOD, SILICON WAFER MANUFACTURING PROCESS EVALUATION METHOD, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE PROCESSUS DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM ET GALETTE EN SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
Abrégé :
(EN) Provided is a silicon wafer evaluation method including: a first determination for determining whether or not there is an abnormality, through inspecting the surface of a silicon wafer to be evaluated by a light scattering type surface inspection device; and a second determination for determining whether or not there is an abnormality, through observing, by an atomic force microscope, an area, of the surface of the silicon wafer to be evaluated, where the presence of an abnormality has not been confirmed in the first determination.
(FR) L'invention concerne un procédé d'évaluation de galette en silicium comprenant : une première détermination destinée à déterminer s'il existe ou non une anomalie, par inspection de la surface d'une galette en silicium à évaluer par un dispositif d'inspection de surface de type à diffusion de lumière; et une deuxième détermination destinée à déterminer s'il existe ou non une anomalie, par l'observation à l'aide d'un microscope à force atomique d'une zone de la surface de la galette en silicium à évaluer où la présence d'une anomalie n'a pas été confirmée lors de la première détermination.
(JA) 評価対象シリコンウェーハの表面を光散乱式表面検査装置によって検査して異常種の存在の有無を判定する第一の判定、および、評価対象シリコンウェーハの表面の第一の判定において異常種の存在が確認されなかった領域を原子間力顕微鏡によって観察して異常種の存在の有無を判定する第二の判定を含むシリコンウェーハの評価方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)