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1. (WO2018061334) PHOTODIODE À AVALANCHE

Pub. No.:    WO/2018/061334    International Application No.:    PCT/JP2017/021652
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jun 13 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 31/107
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: TAKIMOTO, Takahiro
瀧本 貴博
NATSUAKI, Kazuhiro
夏秋 和弘
UCHIDA, Masayo
内田 雅代
Title: PHOTODIODE À AVALANCHE
Abstract:
Une photodiode à avalanche comprend : une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) formée dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité ; une première couche semi-conductrice de second type de conductivité (3) qui est formée de manière à entourer la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2), un espace étant ménagé entre celles-ci dans une vue en plan du substrat ; une deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) qui est formée à une position plus profonde que la position de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) de manière à être en contact avec le fond de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) ; et une troisième couche semi-conductrice de second type de conductivité (6) qui est formée à une position plus profonde que la position de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) de manière à être en contact avec le fond de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5). La couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) et la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) forment une jonction à avalanche. Les première et troisième couches semi-conductrices de second type de conductivité (3, 6) sont connectées de telle sorte que le substrat semi-conducteur (1) et la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) sont électriquement séparés.