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1. (WO2018061235) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
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N° de publication : WO/2018/061235 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/003087
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.01.2017
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
玉利 南菜子 TAMARI Nanako; JP
田村 仁 TAMURA Hitoshi; JP
安井 尚輝 YASUI Naoki; JP
Mandataire :
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Données relatives à la priorité :
2016-18898528.09.2016JP
Titre (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE AND PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Abrégé :
(EN) To provide a plasma treatment device or method with which uniformity of treatment is improved, this plasma treatment device includes: a treatment chamber disposed in the interior of a vacuum container; a sample stage that is disposed in the treatment chamber, with a wafer to be treated loaded on the upper surface thereof; an electric-field forming part that forms an electric field to be supplied into the treatment chamber; a coil that forms a magnetic field for reacting with the electric field to form plasma in the treatment chamber; and a controller that increases and decreases the intensity of the plasma in the treatment chamber by repeatedly increasing and decreasing, at predetermined intervals, the intensity of the magnetic field formed by the coil. Formation and diffusion of the plasma are repeated to treat the wafer.
(FR) La présente invention vise à obtenir un dispositif ou un procédé de traitement par plasma dans lequel l'uniformité de traitement est améliorée, et réalise à cet effet un dispositif de traitement par plasma qui comprend : une chambre de traitement disposée à l'intérieur d'un récipient sous vide ; une platine porte-échantillon qui est disposée dans la chambre de traitement et sur la surface supérieure de laquelle est chargée une galette à traiter ; une partie de formation de champ électrique qui forme un champ électrique à fournir dans la chambre de traitement ; une bobine qui forme un champ magnétique pour réagir avec le champ électrique afin de former un plasma dans la chambre de traitement ; et un contrôleur qui augmente et diminue la résistance du plasma dans la chambre de traitement en augmentant et en diminuant répétitivement l'intensité du champ magnétique formé par la bobine à des intervalles prédéterminés. La formation et la diffusion du plasma sont répétées en vue de traiter la galette.
(JA) 処理の均一性を向上させたプラズマ処理装置または方法を提供するために、真空容器の内部に配置された処理室と、この処理室内に配置されその上面に処理対象のウエハが載せられる試料台と、前記処理室内に供給される電界を形成する電界形成部と、前記電界と作用して前記処理室内にプラズマを形成するための磁界を形成するコイルと、当該コイルが形成する磁界の強度を所定の間隔で繰り返し増減して処理室内のプラズマの強度を増減する制御器とを備え、前記プラズマの形成と拡散とを繰り返して前記ウエハを処理するプラズマ処理装置とする。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)