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1. (WO2018061144) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/061144    International Application No.:    PCT/JP2016/078819
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/285
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: OGAWA, Arito
小川 有人
SEINO, Atsuro
清野 篤郎
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Le problème selon la présente invention est de fournir une technologie qui améliore l'adhérence entre un film d'isolation et un film métallique lors de la formation du film métallique sur le film d'isolation dans une étape de câblage, et permet d'obtenir une faible résistance de câblage. À cet effet, la présente invention comprend : une étape au cours de laquelle un premier gaz réducteur comprenant un gaz à base de borane ou un gaz à base de silane est fourni à un substrat ayant un film d'isolation formé sur la surface, pour réduire le film d'isolation; une étape consistant à former, directement sur le film d'isolation réduit, un film de nitrure de métal comprenant un élément métallique, une étape au cours de laquelle le premier gaz réducteur est fourni au substrat et évacué, une étape au cours de laquelle un gaz contenant du métal comprenant l'élément métallique est fourni au substrat et évacué, et une étape au cours de laquelle un gaz de nitruration est fourni au substrat et évacué, étant effectuées dans cet ordre une ou plusieurs fois; une étape consistant à former une première couche métallique directement sur le film de nitrure de métal, une étape au cours de laquelle le premier gaz réducteur est fourni au substrat et évacué, et une étape au cours de laquelle un gaz contenant du métal est fourni au substrat et évacué étant effectuées dans cet ordre une ou plusieurs fois; et une étape consistant à former une seconde couche métallique directement sur la première couche métallique, un second gaz réducteur différent du premier gaz réducteur, et un gaz contenant du métal étant simultanément fournis au substrat.