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1. (WO2018061126) DISPOSITIF DE RECUIT LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT LASER
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N° de publication : WO/2018/061126 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/078714
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 28.09.2016
CIB :
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
中川 英俊 NAKAGAWA, Hidetoshi; JP
Mandataire :
河野 英仁 KOHNO, Hideto; JP
河野 登夫 KOHNO, Takao; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT LASER
(JA) レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法
Abrégé :
(EN) Provided is a laser annealing device provided with an irradiation unit in which a plurality of lens arrays each comprising one or more lenses are arranged at a first interval, wherein, while scanning a substrate having: a plurality of first area arrays each of which comprises one or more areas to be irradiated and which are arranged at the first interval; and a plurality of second area arrays which are arranged apart from the first area arrays toward one side in a direction orthogonal to the first area arrays by a second interval smaller than the first interval, the irradiation unit irradiates the areas to be irradiated with a laser beam through the one or more lenses. At least one type of area array, in one pixel unit row that comprises a plurality of area arrays including the first and second area arrays, is irradiated with a laser by use of a lens array different from the ones used for the other types of area arrays.
(FR) L'invention concerne un dispositif de recuit laser pourvu d'une unité d'irradiation dans laquelle une pluralité de réseaux de lentilles comprenant chacun une ou plusieurs lentilles sont agencés à un premier intervalle, tout en balayant un substrat ayant : une pluralité de premiers réseaux de zones dont chacun comprend une ou plusieurs zones à irradier et qui sont agencés au premier intervalle ; et une pluralité de deuxièmes réseaux de zones qui sont agencés à distance des premiers réseaux de zones vers un côté dans une direction orthogonale aux premiers réseaux de zones par un deuxième intervalle plus petit que le premier intervalle, l'unité d'irradiation irradie les zones à irradier avec un faisceau laser à travers lesdites lentilles. Au moins un type de réseau de zones, dans une rangée d'unités de pixels qui comprend une pluralité de réseaux de zones comprenant les premier et deuxième réseaux de zones, est irradié par un laser au moyen d'un réseau de lentilles différent de ceux utilisés pour les autres types de réseaux de zones.
(JA) 1以上のレンズからなるレンズ列が第1の間隔で複数配置された照射部を備え、1以上の照射対象領域からなる領域列であって前記第1の間隔で配置された複数の第1の領域列と、前記第1の領域列から前記領域列に直交する方向の一方へ前記第1の間隔よりも小さい第2の間隔だけ離れて配置された複数の第2の領域列とを有する基板を、前記照射部がスキャンしながら前記レンズを介して前記照射対象領域にレーザー光を照射するレーザーアニール装置であって、第1及び第2の領域列を含む複数の領域列からなる、一の画素ユニット列内の少なくとも1種類の領域列に対して、他の種類の領域列とは異なるレンズ列を用いてレーザー照射を行う。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)