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1. (WO2018061109) PROCÉDÉ POUR PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/061109 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/078629
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 28.09.2016
CIB :
H01L 21/285 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
Déposants : KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs : OGAWA, Arito; JP
SEINO, Atsuro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a technology which inhibits the diffusion of fluorine into an insulation film, when a fluorine-containing metal starting material gas is used to form a metal film on a substrate having, provided to the surface, the insulation film, and a barrier film formed on the insulation film. [Solution] The present invention is provided with: a step in which an oxidizing gas is supplied to a substrate in which a metal nitride film including a first metal element is formed on an insulation film, to oxidize the surface of the metal nitride film and form a metal oxide layer; and a step in which a fluorine-containing metal starting material gas including a second metal element and fluorine is supplied to the substrate to form a metal film on the substrate. The step in which the metal film is formed includes: a step in which a first reducing gas and the fluorine-containing metal starting material gas are supplied to the substrate to form, on the substrate, a metal nucleus layer including the second metal element; and a step in which a second reducing gas and the fluorine-containing metal starting material gas are used on the substrate to form a metal bulk layer on the metal nucleus layer.
(FR) L'invention concerne une technologie destinée à inhiber la diffusion de fluor dans un film isolant, lorsqu'un gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor est utilisé pour former un film métallique sur un substrat comportant sur sa surface ledit film isolant et un film barrière formé sur le film isolant. Un procédé selon l'invention comprend : une étape dans laquelle un gaz oxydant est acheminé vers un substrat dans lequel un film de nitrure métallique comprenant un premier élément métallique est formé sur un film isolant, pour oxyder la surface du film de nitrure métallique et former une couche d'oxyde métallique; et une étape dans laquelle un gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor comprenant un deuxième élément métallique et du fluor est acheminé vers le substrat pour former un film métallique sur ledit substrat. L'étape dans laquelle le film métallique est formé comprend : une étape dans laquelle un premier gaz réducteur et le gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor sont acheminés vers le substrat pour former, sur ledit substrat, une couche de noyau métallique comprenant le deuxième élément métallique; et une étape dans laquelle un deuxième gaz réducteur et le gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor sont utilisés sur le substrat pour former une couche massive métallique sur la couche de noyau métallique.
(JA) 課題 絶縁膜と、絶縁膜の上に形成されたバリア膜とを表面に有する基板上にフッ素含有金属原料ガスを用いて金属膜を形成する場合に、フッ素が絶縁膜へ拡散することを抑制する技術を提供する。解決手段 絶縁膜上に、第1の金属元素を含む金属窒化膜が形成された基板に対して、酸化ガスを供給して前記金属窒化膜の表面を酸化し金属酸化層を形成する工程と、前記基板に対して、第2の金属元素およびフッ素を含むフッ素含有金属原料ガスを供給して、前記基板上に金属膜を形成する工程と、を有し、前記金属膜を形成する工程は、前記基板に対して、第1の還元ガスと、前記フッ素含有金属原料ガスとを供給して、前記基板上に第2の金属元素を含む金属核層を形成する工程と、前記基板に対して、第2の還元ガスと、前記フッ素含有金属原料ガスと、を用いて、前記金属核層の上に金属バルク層を形成する工程と、を含む。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)