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1. (WO2018061080) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ULTRAVIOLET À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE, ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ULTRAVIOLET À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
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N° de publication : WO/2018/061080 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/078410
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 27.04.2017
CIB :
H01L 33/20 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
Déposants :
創光科学株式会社 SOKO KAGAKU CO., LTD. [JP/JP]; 石川県白山市旭丘一丁目5番1号 1-5-1, Asahigaoka, Hakusan-shi, Ishikawa 9240004, JP
Inventeurs :
平野 光 HIRANO, Akira; JP
長澤 陽祐 NAGASAWA, Yosuke; JP
一本松 正道 IPPOMMATSU, Masamichi; JP
Mandataire :
政木 良文 MASAKI, Yoshifumi; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ULTRAVIOLET À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE, ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ULTRAVIOLET À SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
(JA) 窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法及び窒化物半導体紫外線発光素子
Abrégé :
(EN) The chip according to the present invention is provided with a substrate 10, and an element structure 20, which has a plurality of semiconductor layers 21 that are laminated on a main surface 101 of the substrate 10, and which outputs light when energized, and in the chip, the substrate 10 is ground such that at least four corners of the rear surface of the substrate 10, said rear surface being on the reverse side of the main surface 101, have convex curved surfaces. Consequently, the substrate 10 having a lens surface (convex curved surface) 102 is obtained.
(FR) La puce selon la présente invention comprend un substrat 10, et une structure d'élément 20, qui a une pluralité de couches semi-conductrices 21 qui sont stratifiées sur une surface principale 101 du substrat 10, et qui délivre de la lumière lorsqu'elle est excitée, et dans la puce, le substrat 10 est mis à la terre de telle sorte qu'au moins quatre coins de la surface arrière du substrat 10, ladite surface arrière étant sur le côté opposé de la surface principale 101, présentent des surfaces incurvées convexes. Par conséquent, le substrat 10 ayant une surface de lentille (surface incurvée convexe) 102 est obtenu.
(JA) 基板10と、当該基板10の主面101上に積層される複数の半導体層21を有するとともに通電することで光を出射する素子構造部20と、を備えるチップに対して、少なくとも、基板10における主面101とは反対側の面である裏面の四つの角が凸状の曲面になるように、基板10を研削加工する。これにより、レンズ面(凸状の曲面)102を有する基板10を得る。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)