Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018061064) LIQUIDE D’ÉLIMINATION DES RÉSERVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/061064 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/004436
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
G03F 7/42 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
42
Elimination des réserves ou agents à cet effet
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
淵上 真一郎 FUCHIGAMI, Shinichirou; --
鬼頭 佑典 KITO, Yusuke; --
Mandataire :
廣幸 正樹 HIROKOH, Masaki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RESIST REMOVAL LIQUID
(FR) LIQUIDE D’ÉLIMINATION DES RÉSERVES
(JA) レジスト剥離液
Abrégé :
(EN) In a production process for semiconductor devices, etc., curing occurs at a higher temperature than conventional production processes, in order to avoid resist curing defects. As a result, a removal liquid having stronger removal force than conventionally available is required. This resist removal liquid: includes a secondary amine, a 1, 3–dimethyl–2–imidazolidinone (DMI) as a polar solvent, and water; incudes hydrazine as an additive; is characterized by the water being at least 10.0% by mass and less than 31.0% by mass; is capable of removing a resist baked at high temperature; and does not corrode film surfaces or cross-sections.
(FR) Dans un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs et similaires, le durcissement est effectué à une température supérieure à celle de l’art antérieur et un durcissement insuffisant des réserves peut être évité. En conséquence, un liquide d’élimination des réserves présentant une force d’élimination supérieure à celle d’un liquide de l'art antérieur est nécessaire. Le liquide d’élimination des réserves selon l’invention se caractérise en ce qu’il contient: un amine secondaire; 1,3-diméthyl-2-imidazolidinone (DMI) en tant que solvant polaire; de l’eau; ainsi que de l’hydrazine en tant qu’additif; la teneur en eau étant supérieure ou égale à 10,0% en poids et inférieure à 31,0% en poids. Ce liquide permet d’éliminer des réserves cuites à température élevée, sans provoquer de corrosion sur la surface de couche mince ou sur la surface transversale entre autre.
(JA) 半導体装置等の製造プロセスでは、従来より高温度で硬化を行いレジストの硬化不良を回避している。したがって、従来より剥離力の強い剥離液が必要となる。 二級アミンと、極性溶媒として、1,3-ジメチルー2-イミダゾリジノン(DMI)と、水を含み、添加剤としてヒドラジンを含み、前記水は、10.0質量%以上31.0質量%未満であることを特徴とするレジスト剥離液は、高温ベークされたレジストを剥離することができ、膜表面や断面への腐食も起こさない。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)