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1. (WO2018060861) ÉCAILLAGE DE NANOPARTICULES DE PÉROVSKITE À L'HALOGÉNURE POUR LA PRÉVENTION DE L'ÉCHANGE D'ANIONS
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N° de publication : WO/2018/060861 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/055869
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 26.09.2017
CIB :
H01L 51/50 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
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spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
Déposants :
NANOCO TECHNOLOGIES LTD [GB/GB]; 46 Grafton Street Manchester M13 9NT, GB
Inventeurs :
PICKETT, Nigel L.; GB
GRESTY, Nathalie C.; GB
MASALA, Ombretta; GB
LI, Jie; GB
Mandataire :
MARKS & CLERK LLP; 1 New York Street Manchester M1 4HD, GB
Données relatives à la priorité :
62/401,48529.09.2016US
62/414,11028.10.2016US
Titre (EN) SHELLING OF HALIDE PEROVSKITE NANOPARTICLES FOR THE PREVENTION OF ANION EXCHANGE
(FR) ÉCAILLAGE DE NANOPARTICULES DE PÉROVSKITE À L'HALOGÉNURE POUR LA PRÉVENTION DE L'ÉCHANGE D'ANIONS
Abrégé :
(EN) A core/shell semiconductor nanoparticle structure comprises a core comprising a halide perovskite semiconductor and a shell comprising a semiconductor material that is not a halide perovskite (and that is substantially free of halide perovskites). The halide perovskite semiconductor core may be of the form AMX3, wherein: A is an organic ammonium such as CH3NH3+, (C8H17)2(CH3NH3)+, PhC2H4NH3+, C6H11CH2NH3+ or 1-adamantyl methyl ammonium, an amidinium such as CH(NH2)2+, or an alkali metal cation such as Li+, Na+, K+, Rb+ or Cs+; M is a divalent metal cation such as Mg2+, Mn2+, Ni2+, Co2+, Pb2+, Sn2+, Zn2+, Ge2+, Eu2+, Cu2+ or Cd2+; and X is a halide anion (F-, Cl-, Br-, I-) or a combination of halide anions.
(FR) L'invention concerne une structure de nanoparticule semiconductrice à noyau/enveloppe comprenant un noyau comprenant un semiconducteur de pérovskite à l'halogénure et une enveloppe comprenant un matériau semiconducteur qui n'est pas une pérovskite à l'halogénure (et qui est sensiblement exempte de pérovskites à l'halogénure). Le noyau en semiconducteur de pérovskite à halogénure peut être de la forme AMX3, où : A est un ammonium organique tel que CH3NH3+, (C8H17)2(CH3NH3)+, PhC2H4NH3+, C6H11CH2NH3+ ou 1-adamantyl méthyl ammonium, un amidinium tel que CH(NH2)2+, ou un cation de métal alcalin tel que Li+, Na+, K+, Rb+ or Cs+ ; M est un cation métallique divalent tel que Mg2+, Mn2+, Ni2+, Co2+, Pb2+, Sn2+, Zn2+, Ge2+, Eu2+, Cu2+ ou Cd2+ ; et X est un anion d'halogénure (F-, Cl-, Br-, I-) ou une combinaison d'anions d'halogénure.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)