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1. (WO2018060679) IGBT 3C-SIC

Pub. No.:    WO/2018/060679    International Application No.:    PCT/GB2017/052815
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/66
H01L 21/02
H01L 21/265
H01L 21/66
H01L 29/739
H01L 29/16
H01L 29/167
H01L 29/08
Applicants: ANVIL SEMICONDUCTORS LIMITED
Inventors: WARD, Peter
Title: IGBT 3C-SIC
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) à base de carbure de silicium (SiC), l'IGBT comportant : un substrat de silicium monocristallin ; une zone de collecteur d'un premier type de conductivité disposée sur le substrat de silicium, la zone de collecteur comprenant un matériau comportant du carbure de silicium cubique à 3 étapes (3C-SiC) ; une zone de migration semi-conductrice d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, disposée sur la zone de collecteur ; une zone de corps du premier type de conductivité située dans la zone de migration semi-conductrice ; une zone d'émetteur du second type de conductivité située dans la zone de corps ; une zone de grille placée au-dessus de la zone d'émetteur et en contact avec cette dernière. Le procédé consiste : à fournir le substrat de silicium ayant une surface principale, le substrat de silicium étant du second type de conductivité ; à doper la surface principale du substrat de silicium à l'aide d'une implantation d'ions aluminium ; à entraîner l'implantation d'ions aluminium dans le substrat de silicium à une profondeur prédéfinie à une température prédéterminée, de sorte qu'une zone de silicium fortement dopée du premier type de conductivité est formée à proximité de la surface principale dans le substrat de silicium.