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1. (WO2018060124) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À PROPRIÉTÉ DE RÉFLEXION
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N° de publication :    WO/2018/060124    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/074191
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 25.09.2017
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstr. 2 93049 Regensburg (DE)
Inventeurs : WEHLUS, Thomas; (DE)
Mandataire : ENGELHARDT, Martin; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 219 060.1 30.09.2016 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG MIT REFLEKTIONSEIGENSCHAFT
(EN) OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING A REFLECTIVE PROPERTY
(FR) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À PROPRIÉTÉ DE RÉFLEXION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung (10) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, umfassend eine erste Elektrode (14), eine zweite Elektrode (15) und eine funktionale Schichtstruktur (16), die eingerichtet ist, bei Bestromung der funktionalen Schichtstruktur (16) mittels der ersten (14) und der zweiten Elektrode (15) die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, sowie eine äußerste Schichtstruktur (12), wobei die optoelektronische Vorrichtung (10) eingerichtet ist, zumindest einen Teil der durch die funktionale Schichtstruktur (16) erzeugbaren elektromagnetischen Strahlung durch die zweite Elektrode (15) und die äußerste Schichtstruktur (12) hindurch zu emittieren, so dass dieser Teil der erzeugten elektromagnetischen Strahlung an einer außenseitigen Grenzfläche (12a) der äußersten Schichtstruktur (12) aus der optoelektronischen Vorrichtung (10) austritt, wobei die äußerste Schichtstruktur (12) einen Brechungsindex größer oder gleich 2 aufweist.
(EN)The invention relates to an optoelectronic device (10) for generating electromagnetic radiation, comprising a first electrode (14), a second electrode (15) and a functional layer structure (16), which is configured to generate the electromagnetic radiation when power is supplied to the functional layer structure (16) by means of the first (14) and the second electrode (15), as well as comprising an outermost layer structure (12), wherein the optoelectronic device (10) is configured to emit at least one portion of the electromagnetic radiation that can be generated by the functional layer structure (16) via the second electrode (15) and the outermost layer structure (12), such that this portion of the generated electromagnetic radiation exits the optoelectronic device (10) at an outer boundary surface (12a) of the outermost layer structure (12), wherein the outermost layer structure (12) has a refractive index greater than or equal to 2.
(FR)L'invention concerne un dispositif optoélectronique (10) pour produire un rayonnement électromagnétique, qui comprend une première électrode (14), une seconde électrode (15) et une structure en couches fonctionnelle (16), laquelle est conçue de manière à produire le rayonnement électromagnétique, lorsque du courant parcourt la structure en couches fonctionnelle (16), au moyen de la première (14) et de la seconde électrode (15), ainsi qu'une structure en couches la plus extérieure, ledit dispositif optoélectronique (10) étant conçu de manière à émettre au moins une partie du rayonnement électromagnétique pouvant être produit par la structure en couches fonctionnelle (16), à travers la seconde électrode (15) et la structure en couches la plus extérieure (12), de sorte que cette partie du rayonnement électromagnétique sorte du dispositif optoélectronique (10) au niveau d'une interface (12a) située côté extérieur de la structure en couches la plus extérieure (12), ladite structure en couches la plus extérieure (12) présentant un indice de réfraction supérieur ou égal à 2.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)