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1. (WO2018060086) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D’UNE COUCHE
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N° de publication : WO/2018/060086 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/074052
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 22.09.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : LIMO GMBH[DE/DE]; Bookenburgweg 4-8 44319 Dortmund, DE
Inventeurs : HARTEN, Paul Alexander; DE
Mandataire : BASFELD, Rainer; FRITZ PATENT- & RECHTSANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB Postfach 15 80 59705 Arnsberg, DE
BASFELD, Rainer; DE
GRAEFE, Jörg; DE
MANSKE, Jörg; DE
SCHÄPERKLAUS, Jochen; DE
HEIN, Birgit; DE
HOFFMANN, Marco; DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 118 377.628.09.2016DE
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING A LAYER
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D’UNE COUCHE
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEARBEITUNG EINER SCHICHT
Abrégé :
(EN) A method for processing a layer, in particular a layer on a substrate, comprising the following method steps: producing a first laser radiation having a first wavelength by at least one first semiconductor laser, producing a second laser radiation having a second wavelength that differs from the first wavelength by at least one second semiconductor laser, striking the layer with the laser radiations, wherein the laser radiations are superposed on the layer and/or incident on regions of the layer successively in time, and wherein the difference between the first wavelength and the second wavelength is at least 100 nm.
(FR) Procédé de traitement d’une couche, en particulier une couche formée sur un substrat, comprenant les étapes suivantes: génération d’un rayonnement laser présentant une première longueur d'onde, au moyen d’un premier laser à semi-conducteur, génération d’un second rayonnement laser présentant une seconde longueur d'onde différente de la première longueur d'onde, au moyen d’au moins un second laser à semi-conducteur, exposer la couche aux rayonnements laser, les rayonnements laser se superposant sur la couche et/ou étant atteignant successivement certaines parites de la couche, la différence entre la première longueur d'onde et la seconde longueur d'onde étant d’au moins 100 nm.
(DE) Verfahren zur Bearbeitung einer Schicht, insbesondere einer Schicht auf einem Substrat, umfassend folgende Verfahrensschritte: Mit mindestens einem ersten Halbleiterlaser wird eine erste Laserstrahlung erzeugt, die eine erste Wellenlänge aufweist, mit mindestens einem zweiten Halbleiterlaser wird eine zweite Laserstrahlung erzeugt, die eine zweite, von der ersten Wellenlänge verschiedene, Wellenlänge aufweist, die Schicht wird mit den Laserstrahlungen beaufschlagt, wobei die Laserstrahlungen auf der Schicht überlagert werden und/oder zeitlich nacheinander auf Bereiche der Schicht auftreffen, und wobei die Differenz zwischen der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge mindestens 100 nm groß ist.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)