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1. (WO2018059371) FILM DE DIAMANT NANOCRISTALLIN À GRANULOMÉTRIE ULTRA-FINE PRÉSENTANT UNE LUMINESCENCE DES CENTRES SIV ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/059371    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/103313
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 26.09.2017
CIB :
C23C 16/27 (2006.01), C30B 29/04 (2006.01), C30B 25/00 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Déposants : ZHEJIANG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; No. 18 Chaowang Road, Xiacheng District Hangzhou, Zhejiang 310014 (CN)
Inventeurs : HU, Xiaojun; (CN).
CHEN, Chengke; (CN)
Mandataire : TIANZHENG PATENT ATTORNEYS; WANG Bing, 22F/B, Changdimingyuan No.9 Qingchun Road, Shangcheng District Hangzhou, Zhejiang 310009 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610870721.7 30.09.2016 CN
Titre (EN) ULTRA SMALL GRAIN-SIZE NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILM HAVING A SIV LUMINESCENCE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) FILM DE DIAMANT NANOCRISTALLIN À GRANULOMÉTRIE ULTRA-FINE PRÉSENTANT UNE LUMINESCENCE DES CENTRES SIV ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 具有SiV发光的超小晶粒尺寸纳米金刚石薄膜及其制备
Abrégé : front page image
(EN)An ultra small grain-size nanocrystalline diamond film having a SiV luminescence, is manufactured by the following method: (1) manufacturing, on a single crystal silicon substrate, a nanocrystalline diamond film having a SiV luminescence by using a microwave plasma chemical vapor deposition method; (2) performing oxygen plasma etching treatment on the nanocrystalline diamond film obtained in step (1) for 5-30min by using an oxygen plasma bombardment method in a mixed gas plasma having an oxygen-nitrogen gas volume ratio of 1:4-6 and at an atmospheric pressure of 0.5-6torr and a microwave power of 600-1000W, thereby obtaining the ultra small grain-size nanocrystalline diamond film having the SiV luminescence.
(FR)La présente invention concerne un film de diamant nanocristallin à granulométrie ultra-fine présentant une luminescence des centres SiV, qui est fabriqué par le procédé suivant consistant à : (1) fabriquer, sur un substrat de silicium monocristallin, un film de diamant nanocristallin présentant une luminescence des centres SiV à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à plasma micro-onde; (2) effectuer un traitement de gravure par plasma d'oxygène sur le film de diamant nanocristallin obtenu à l'étape (1) pendant 5 à 30 min à l'aide d'un procédé de bombardement de plasma d'oxygène dans un plasma de gaz mixte présentant un rapport volumique d'oxygène gazeux-azote gazeux de 1:4-6 et sous une pression atmosphérique de 0,5 à 6 torr et une puissance hyperfréquence de 600 à 1 000 W, ce qui permet d'obtenir le film de diamant nanocristallin à granulométrie ultra-fine présentant une luminescence des centres SiV.
(ZH)一种具有SiV发光的超小晶粒尺寸纳米金刚石薄膜,按如下方法制备得到:(1)采用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶硅衬底上制备具有SiV发光的纳米金刚石薄膜;(2)采用氧等离子体轰击方法,在微波功率600~1000W,气压0.5~6torr,氧气氮气体积比1:4~6的混合气体等离子体中,对步骤(1)得到的纳米金刚石薄膜进行氧等离子体刻蚀处理5~30min,即得具有SiV发光的超小晶粒尺寸纳米金刚石薄膜。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)