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1. (WO2018059346) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE LA MIGRATION DE PHOTOÉLECTRONS D'INTERFACE ET DE L'ACTIVITÉ PHOTOCATALYTIQUE DE MATÉRIAU, ET ANALYSEUR DE MICRO-IMAGERIE EN QUATRE DIMENSIONS
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N° de publication :    WO/2018/059346    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/103142
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 25.09.2017
CIB :
G01N 21/63 (2006.01)
Déposants : CENTRAL CHINA NORMAL UNIVERSITY [CN/CN]; No. 152 Luoyu Road, Hongshan District Wuhan, Hubei 430079 (CN)
Inventeurs : ZHONG, Hongying; (CN).
ZHANG, Juan; (CN).
JIANG, Ruowei; (CN).
ZHANG, Wenyang; (CN).
TANG, Xuemei; (CN)
Mandataire : HUBEI WUHAN YONGJIA PATENT AGENCY CO., LTD; 708 Zhaofu International Building No. 717 Wuluo Rd, Wuchang District Wuhan, Hubei 430072 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610860753.9 28.09.2016 CN
201610887230.3 11.10.2016 CN
Titre (EN) DETERMINATION METHOD FOR INTERFACE PHOTOELECTRON MIGRATION AND MATERIAL PHOTOCATALYTIC ACTIVITY AND FOUR-DIMENSIONAL MICRO-IMAGING ANALYZER
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE LA MIGRATION DE PHOTOÉLECTRONS D'INTERFACE ET DE L'ACTIVITÉ PHOTOCATALYTIQUE DE MATÉRIAU, ET ANALYSEUR DE MICRO-IMAGERIE EN QUATRE DIMENSIONS
(ZH) 一种界面光电子转移及材料光催化活性的测定方法及四维显微成像分析仪
Abrégé : front page image
(EN)A determination method for interface photoelectron migration and material photocatalytic activity and a four-dimensional micro-imaging analyzer are provided. The four-dimensional micro-imaging analyzer comprises a sample target (1), a laser device (2), a slit (3), an extraction electrode (4), a hexapole (5), a quadrupole (6), a time-of-flight mass analyzer (7), a detector (8), and a device (9) for supplying voltage to the sample target (1), the slit (3), the extraction electrode (4), and the hexapole (5). The method exploits the tunneling effect generated on photogenerated electrons by a semiconductor material under laser irradiation, as well as the capture principle for electron acceptor modules, to determine the mass-to-charge ratio and ion signal intensity of interface migration photogenerated electrons captured by the electron acceptor modules, or of the product of a photochemical reaction induced by the electron acceptor modules capturing interface migration photogenerated electrons, thus obtaining photocatalytically active sites, and, via image reconstruction, obtaining microscopic imaging of the photocatalytically active sites. In the present invention photocatalytically active sites of semiconductor materials can be determined, while at the same time, the degree of difficulty of a photochemical reaction occurring on electron acceptor modules and the product of such a photochemical reaction can be determined.
(FR)L'invention concerne un procédé de détermination d'une migration de photoélectrons d'interface et d'une activité photocatalytique de matériau, ainsi qu'un analyseur de micro-imagerie en quatre dimensions. L'analyseur de micro-imagerie en quatre dimensions comprend une cible échantillon (1), un dispositif laser (2), une fente (3), une électrode d'extraction (4), un hexapôle (5), un quadripôle (6), un analyseur de masse à temps de vol (7), un détecteur (8), et un dispositif (9) destiné à fournir une tension à la cible échantillon (1), à la fente (3), à l'électrode d'extraction (4) et à l'hexapôle (5). Le procédé exploite l'effet tunnel généré sur des électrons photogénérés par un matériau semi-conducteur soumis à un rayonnement laser, ainsi que le principe de capture destiné à des modules accepteurs d'électrons, pour déterminer le rapport masse sur charge et l'intensité du signal ionique des électrons photogénérés par migration d'interface et capturés par les modules accepteurs d'électrons, ou du produit d'une réaction photochimique induite par les modules accepteurs d'électrons capturant des électrons photogénérés par migration d'interface, permettant ainsi d'obtenir des sites photocatalytiquement actifs, et d'obtenir, par l'intermédiaire d'une reconstruction d'image, une imagerie microscopique des sites. photocatalytiquement actifs. Dans la présente invention, il est possible de déterminer des sites photocatalytiquement actifs de matériaux semi-conducteurs et, en même temps, de déterminer le degré de difficulté d'une réaction photochimique se produisant sur des modules accepteurs d'électrons, ainsi que le produit d'une telle réaction photochimique.
(ZH)一种界面光电子转移及材料光催化活性的测定方法及四维显微成像分析仪。该四维显微成像分析仪包括样品靶(1)、激光器(2)、狭缝(3)、提取极(4)、六级杆(5)、四级杆(6)、飞行时间质量分析器(7)、检测器(8)、给样品靶(1)、狭缝(3)、提取极(4)和六级杆(5)提供电压的装置(9)。该方法利用半导体材料在激光照射下产生光生电子的隧道效应和电子受体分子的俘获原理,通过测定电子受体分子俘获界面转移光生电子或电子受体分子俘获界面转移光生电子引发光化学反应所得产物的质荷比及离子信号、并通过图像重构获得光催化活性位点的显微成像,一方面可以判断半导体材料光催化活性位点,另一方面可以判断电子受体分子发生光化学反应的难易以及所得光化学反应产物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)