Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018059109) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/059109 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/095178
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区北土城西路3号 No. 3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029, CN
Inventeurs :
朱慧珑 ZHU, Huilong; US
王桂磊 WANG, Guilei; CN
亨利·H·阿达姆松 RADAMSON, Henry, H; CN
张严波 ZHANG, Yanbo; CN
朱正勇 ZHU, Zhengyong; CN
Mandataire :
中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区西三环北路87号4-1105室 Suite 4-1105 No.87, West 3rd Ring North Road, Haidian District Beijing 100089, CN
Données relatives à la priorité :
201610872541.230.09.2016CN
201710530250.X30.06.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
(ZH) 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
Abrégé :
(EN) A semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus comprising same. The semiconductor device comprises: a substrate (1001); a first source/drain layer (1005), a trench layer (1009), and a second source/drain layer (1013) sequentially stacked on the substrate (1001), wherein the trench layer (1009) comprises a semiconductor material enabling an increase of an on-state current and/or a decrease of an off-state current compared with the Si material; and a gate stack formed around a periphery of the trench layer (1009).
(FR) L'invention concerne dispositif semi-conducteur, son procédé de fabrication, et un appareil électronique le comprenant. Le dispositif semi-conducteur comprend : un substrat (1001); une première couche de source/drain (1005), une couche de tranchée (1009), et une seconde couche de source/drain (1013) empilée de manière séquentielle sur le substrat (1001), la couche de tranchée (1009) comprenant un matériau semi-conducteur permettant une augmentation d'un courant à l'état actif et/ou une diminution d'un courant à l'état passif par comparaison avec le matériau Si; et un empilement de grille formé autour d'une périphérie de la couche de tranchée (1009).
(ZH) 一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括:衬底(1001);依次叠置在衬底(1001)上的第一源/漏层(1005)、沟道层(1009)和第二源/漏层(1013),其中,沟道层(1009)包括与Si材料相比具有增大开态电流和/或减小关态电流的半导体材料;以及绕沟道层(1009)的外周形成的栅堆叠。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)