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1. (WO2018059108) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
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N° de publication : WO/2018/059108 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/095130
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
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à grille isolée
Déposants :
中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区北土城西路3号 No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029, CN
Inventeurs :
朱慧珑 ZHU, Huilong; US
Mandataire :
中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区西三环北路87号4-1105室 Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089, CN
Données relatives à la priorité :
201610872541.230.09.2016CN
201710530297.630.06.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
(ZH) 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
Abrégé :
(EN) A semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus comprising same. The semiconductor device comprises: a substrate (1001); a first device and a second device formed on the substrate (1001), wherein the first device and second device respectively comprise a first source/drain layer (1031), a trench layer (1003), and a second source/drain layer (1005) sequentially stacked on the substrate (1001); and a gate stack formed around a periphery of the trench layer (1003), wherein the trench layer (1003p) of the first device and the trench layer (1003n) of the second device are substantially coplanar, and the second source/drain layer (1005) of the first device has a different stress than the second source/drain layer of the second device.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, son procédé de fabrication, et un appareil électronique le comprenant. Le dispositif semi-conducteur comprend : un substrat (1001); un premier dispositif et un second dispositif formés sur le substrat (1001), le premier dispositif et le second dispositif comprenant respectivement une première couche de source/drain (1031), une couche de tranchée (1003), et une seconde couche de source/drain (1005) empilées séquentiellement sur le substrat (1001); et un empilement de grille formé autour d'une périphérie de la couche de tranchée (1003), la couche de tranchée (1003p) du premier dispositif et la couche de tranchée (1003n) du second dispositif sont sensiblement coplanaires, et la seconde couche de source/drain (1005) du premier dispositif a une contrainte différente de celle de la seconde couche de source/drain du second dispositif.
(ZH) 一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括:衬底(1001);在衬底(1001)上形成的第一器件和第二器件,第一器件和第二器件分别包括:依次叠置在衬底(1001)上的第一源/漏层(1031)、沟道层(1003)和第二源/漏层(1005);以及绕沟道层(1003)的外周形成的栅堆叠,其中,第一器件的沟道层(1003p)与第二器件的沟道层(1003n)基本共面,且第一器件和第二器件各自的第二源/漏层(1005)中带有不同的应力。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)