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1. (WO2018059107) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
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N° de publication : WO/2018/059107 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/095124
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区北土城西路3号 No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029, CN
Inventeurs :
朱慧珑 ZHU, Huilong; US
Mandataire :
中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区西三环北路87号4-1105室 11/F, Bldg. D International Finance and Economics Center No. 87, West 3rd Ring North Road, Haidian District Beijing 100089, CN
Données relatives à la priorité :
201610872541.230.09.2016CN
201710531811.830.06.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
(ZH) 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
Abrégé :
(EN) A semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus comprising same. The semiconductor device comprises: a substrate (1001); a cylindrical active region extending vertically upward from the substrate, wherein the active region comprises a first source/drain region in a lower region thereof, a second source/drain region in an upper region thereof, a trench region between the first source/drain region and the second source/drain region and near a surface of a periphery of the active region, and a bulk region (1005) on an inner side of the trench region; and a gate stack formed around a periphery of the trench region.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, son procédé de fabrication, et un appareil électronique le comprenant. Le dispositif semi-conducteur comprend : un substrat (1001); une région active cylindrique s'étendant verticalement vers le haut à partir du substrat, la région active comprenant une première région de source/drain dans une région inférieure de celle-ci, une seconde région de source/drain dans une région supérieure de celle-ci, une région de tranchée entre la première région de source/drain et la seconde région de source/drain et à proximité d'une surface d'une périphérie de la région active, et une région de masse (1005) sur un côté interne de la région de tranchée; et un empilement de grille formé autour d'une périphérie de la région de tranchée.
(ZH) 一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件可以包括:衬底(1001);在衬底上竖直延伸的柱状有源区,其中,有源区包括其下部的第一源/漏区、其上部的第二源/漏区、第一源/漏区和第二源/漏区之间靠近其外周表面的沟道区、以及沟道区内侧的体区(1005);以及绕沟道区外周形成的栅堆叠。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)