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1. (WO2018058939) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, CIRCUIT GOA, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/058939 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/080842
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 18.04.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,G02F 1/1362 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No. 10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥鑫晟光电科技有限公司 HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 新站区工业园内 Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs :
何为 HE, Wei; CN
张心杰 ZHANG, Xinjie; CN
肖文龙 XIAO, Wenlong; CN
吴四权 WU, Siquan; CN
Mandataire :
中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 中国香港特别行政区 湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201610861627.528.09.2016CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, GOA CIRCUIT, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, CIRCUIT GOA, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管、GOA电路、显示基板和显示装置
Abrégé :
(EN) Provided are a thin film transistor, a GOA circuit, a display substrate and a display device. The thin film transistor comprises a first electrode (310), a second electrode (320) and a third electrode (330). The first electrode (310) and the second electrode (320) are disposed in the same layer and are insulated from each other. The third electrode (330) is disposed under the first electrode (310) and the second electrode (320) and is insulated from the first electrode (310) and the second electrode (320). The first electrode (310) comprises at least one first conductive portion (311), and the second electrode (320) comprises a plurality of second conductive portions (321), each of the second conductive portions (321) being disposed adjacent to each of the first conductive portions (311). The third electrode (330) is provided with an opening portion (332) that at least partially overlaps with the first conductive portion (311) or the second conductive portions (321). When a short circuit occurs in the first or second conductive portion (311, 321) to cause a defective channel, the first or second conductive portion (311, 321) is cut off at the place where the first or second conductive portion (311, 321) overlaps with the opening portion (332), so as to repair the defective channel. The repair has no effect on the third electrode (330).
(FR) La présente invention concerne un transistor à couches minces, un circuit GOA, un dispositif d'affichage et un substrat d'affichage. Le transistor à couches minces comprend une première électrode (310), une seconde électrode (320) et une troisième électrode (330). La première électrode (310) et la seconde électrode (320) sont disposées dans la même couche et sont isolées l'une de l'autre. La troisième électrode (330) est disposée sous la première électrode (310) et la seconde électrode (320) et est isolée de la première électrode (310) et de la deuxième électrode (320). La première électrode (310) comprend au moins une première portion conductrice (311), et la seconde électrode (320) comprend une pluralité de secondes portions conductrices (321), chacune des secondes portions conductrices (321) étant disposée adjacente à chacune des premières portions conductrices (311). La troisième électrode (330) comprend une portion d'ouverture (332) qui chevauche au moins partiellement la première portion conductrice (311) ou les secondes portions conductrices (321). Lorsqu'un court-circuit se produit dans la première ou la seconde portion conductrice (311, 321) pour provoquer un canal défectueux, la première ou la seconde portion conductrice (311, 321) est coupée à l'endroit où la première ou la seconde portion conductrice (311, 321) chevauche la portion d'ouverture (332), de manière à réparer le canal défectueux. La réparation n'a aucun effet sur la troisième électrode (330).
(ZH) 一种薄膜晶体管、一种GOA电路、显示基板和显示装置。薄膜晶体管包括第一电极(310)、第二电极(320)和第三电极(330),第一电极(310)和第二电极(320)同层设置并且相互绝缘,第三电极(330)设置在第一电极(310)和第二电极(320)下方并且与第一电极(310)和第二电极(320)绝缘,第一电极(310)包括至少一个第一导电部(311),第二电极(320)包括多个第二导电部(321),每个第二导电部(321)邻近每个第一导电部(311)设置。第三电极(330)设置有开口部(332),开口部(332)与第一导电部(311)或第二导电部(321)至少部分交叠。当第一或第二导电部(311、321)出现短路引起沟道不良时,在第一或第二导电部(311、321)与开口部(332)交叠的位置将其切断以修复沟道不良,修复对第三电极(330)无任何影响。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)