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1. (WO2018058877) CHAMBRE DE DÉGAZAGE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/058877 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/073057
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 07.02.2017
CIB :
H01L 21/67 (2006.01) ,C23C 14/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
Déposants :
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAUR MICROELECTRONICS EUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventeurs :
贾强 JIA, Qiang; CN
丁培军 DING, Peijun; CN
赵梦欣 ZHAO, Mengxin; CN
王厚工 WANG, Hougong; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201610854013.427.09.2016CN
Titre (EN) DEGASSING CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE
(FR) CHAMBRE DE DÉGAZAGE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 去气腔室和半导体处理装置
Abrégé :
(EN) A degassing chamber and a semiconductor processing device. The degassing chamber comprises: a chamber (1) and a substrate container (2). A substrate transferring opening (11) is provided at a side wall of the chamber (1). The substrate container (2) can be moved in the chamber (1) and along a vertical direction. The degassing chamber further comprises a heating component (3) comprising a first light source component (31) and a second light source component (32). The substrate transferring opening (11) serves as a boundary to divide the chamber (1) into a first chamber (12) and a second chamber (13). The first light source component (31) is located in the first chamber (12), and the second light source component (32) is located in the second chamber (13). The first light source component (31) and the second light source component (32) are configured to heat a substrate in the substrate container (2). The degassing chamber is employed to heat, using the light source components, a substrate in the substrate container, regardless of the substrate being located at an upper area or a lower area of the substrate transferring opening, thereby ensuring a uniform process temperature of substrates during a degassing process or a transferring process.
(FR) L’invention concerne une chambre de dégazage et un dispositif de traitement à semi-conducteurs. La chambre de dégazage comprend : une chambre (1) et un récipient de substrat (2). Une ouverture de transfert de substrat (11) est disposée au niveau d'une paroi latérale de la chambre (1). Le récipient de substrat (2) peut être déplacé dans la chambre (1) et le long d'une direction verticale. La chambre de dégazage comprend en outre un composant de chauffage (3) comprenant un premier composant de source de lumière (31) et un second composant de source de lumière (32). L'ouverture de transfert de substrat sert de limite pour diviser la chambre (1) en une première chambre (12) et une seconde chambre (13). Le premier composant de source de lumière (31) est situé dans la première chambre (12), et le second composant de source de lumière (32) est situé dans la seconde chambre (13). Le premier composant de source de lumière (31) et le second composant de source de lumière (32) sont configurés pour chauffer un substrat dans le récipient de substrat (2). La chambre de dégazage est utilisée pour chauffer, à l'aide des composants de source de lumière, un substrat dans le récipient de substrat, quel que soit le substrat situé au niveau d'une zone supérieure ou d'une zone inférieure de l'ouverture de transfert de substrat, ce qui permet d'assurer une température de traitement uniforme de substrats pendant un processus de dégazage ou un processus de transfert.
(ZH) 一种去气腔室和半导体处理装置,包括:腔体(1)和片盒(2),腔体(1)的侧壁上开设有传片口(11);片盒(2)在腔体(1)内可沿竖直方向移动,还包括设置在腔体(1)内的加热组件(3),加热组件(3)包括第一光源件(31)和第二光源件(32),腔体(1)以传片口(11)为界分为第一腔体(12)和第二腔体(13);第一光源件(31)位于第一腔体(12)内,第二光源件(32)位于第二腔体(13)内;第一光源件(31)和第二光源件(32)用于对片盒(2)内的基片进行加热。该去气腔室使片盒内的基片无论是在传片口的上方区域还是在传片口的下方区域均可以得到光源的加热,从而确保了基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)