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1. (WO2018058560) SUBSTRAT DOTÉ DE CARACTÉRISTIQUES DE RÉDUCTION DES CONTRAINTES

Pub. No.:    WO/2018/058560    International Application No.:    PCT/CN2016/101168
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H05K 1/02
H05K 3/46
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: GUO, Mao
Title: SUBSTRAT DOTÉ DE CARACTÉRISTIQUES DE RÉDUCTION DES CONTRAINTES
Abstract:
Divers exemples de l'invention concernent un substrat pour un semi-conducteur. Le substrat comprend une première couche conductrice qui présente une première surface et une deuxième surface opposée. Le substrat comprend également une deuxième couche conductrice qui s'étend dans une direction sensiblement parallèle à la première couche conductrice. La deuxième couche conductrice comprend une troisième surface et une quatrième surface opposée. Une première couche diélectrique est disposée entre la deuxième surface de la première couche conductrice et la troisième surface de la deuxième couche conductrice. La première couche diélectrique comprend un premier matériau diélectrique et une fibre. Des interstices s'étendent entre la première couche conductrice et la deuxième couche conductrice. Chacun des interstices est défini par une surface interne de la première couche conductrice, de la deuxième couche conductrice et de la première couche diélectrique.