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1. (WO2018058450) PIXEL DESTINÉ À UN DÉTECTEUR NON REFROIDI DE PLAN FOCAL INFRAROUGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2018/058450 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/100865
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
烟台睿创微纳技术股份有限公司 YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国山东省烟台市 开发区贵阳大街11号 No.11, Guiyang Street, Development Zone Yantai, Shandong 264006, CN
Inventeurs :
王宏臣 WANG, Hongchen; CN
邱栋 QIU, Dong; CN
王鹏 WANG, Peng; CN
陈文礼 CHEN, Wenli; CN
Mandataire :
北京轻创知识产权代理有限公司 KEYCOM PARTNERS, P.C.; 中国北京市 海淀区知春路7号致真大厦A座1404/1405 1404/1405, Block A, Truth Plaza No.7, Zhichun Road, Haidian District Beijing 100191, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PIXEL FOR UNCOOLED INFRARED FOCAL PLANE DETECTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) PIXEL DESTINÉ À UN DÉTECTEUR NON REFROIDI DE PLAN FOCAL INFRAROUGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法
Abrégé :
(EN) An pixel for an uncooled infrared focal plane detector and a preparation method therefor, which relate to the technical field of uncooled infrared focal plane detectors. The pixel for an uncooled infrared focal plane detector comprises a structure of three layers, which are sequentially located on a semiconductor substrate (1) from bottom to top. The first layer of a bridge structure comprises a metal reflection layer (2), an insulation dielectric layer (4), a first supporting layer (6), a first support layer protection layer (7), a first metal electrode layer (9), and a first silicon nitride dielectric layer (10). The second layer of a thermal conversion structure comprises a second support layer (11), a second support layer protection layer (12), a thermal sensitive layer (17), a thermal sensitive layer production layer (18), a second metal electrode layer (14), and a second silicon nitride dielectric layer (15). The third layer of an absorption structure comprises a third support layer (19), an absorption layer (20), and an absorption layer protection layer (21). The pixel for an uncooled infrared focal plane detector can obviously improve the absorption rate of infrared radiation and can improve the response rate of a detector, thereby laying a foundation for manufacturing larger-array and smaller-pixel detectors.
(FR) La présente invention se rapporte au domaine technique des détecteurs non refroidis de plan focal infrarouge et concerne un pixel destiné à un détecteur non refroidi de plan focal infrarouge et son procédé de préparation. Le pixel destiné à un détecteur non refroidi de plan focal infrarouge comprend une structure de trois couches disposées séquentiellement de bas en haut sur un substrat semi-conducteur (1). La première couche d'une structure de pont comprend une couche de réflexion métallique (2), une couche diélectrique d'isolation (4), une première couche de support (6), une première couche protectrice de couche de support (7), une première couche d'électrode métallique (9) et une première couche diélectrique de nitrure de silicium (10). La deuxième couche d'une structure de conversion thermique comprend une deuxième couche de support (11), une seconde couche protectrice de couche de support (12), une couche thermosensible (17), une couche de production de couche thermosensible (18), une seconde couche d'électrode métallique (14) et une seconde couche diélectrique de nitrure de silicium (15). La troisième couche d'une structure d'absorption comprend une troisième couche de support (19), une couche d'absorption (20) et une couche protectrice de couche d'absorption (21). Le pixel destiné à un détecteur non refroidi de plan focal infrarouge peut manifestement améliorer le taux d'absorption de rayonnement infrarouge et le taux de réponse d'un détecteur, ce qui permet de poser une fondation destinée à la fabrication de détecteurs en réseau plus grand et à pixels plus petits.
(ZH) 一种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法,属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底(1)往上,依次包括三层结构,第一层的桥腿结构包括金属反射层(2)、绝缘介质层(4)、第一支撑层(6)、第一支撑层保护层(7)、第一金属电极层(9)和第一氮化硅介质层(10);第二层的热转换结构包括第二支撑层(11)、第二支撑层保护层(12)、热敏层(17)、热敏层保护层(18)、第二金属电极层(14)、第二氮化硅介质层(15);第三层的吸收层结构包括第三支撑层(19)、吸收层(20)和吸收层保护层(21)。该非制冷红外焦平面探测器像元,能显著提高红外辐射的吸收率,提升探测器的响应率,为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)