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1. (WO2018058397) PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE DESTINÉ AU TUNGSTÈNE
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N° de publication :    WO/2018/058397    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/100710
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. [US/US]; 451 Bellevue Road Newark, Delaware 19713 (US).
HO, Lin-Chen [CN/CN]; (CN) (SC only).
TSAI, Wei-Wen [US/CN]; (CN) (SC only).
LEE, Cheng-Ping [CN/CN]; (CN) (SC only)
Inventeurs : HO, Lin-Chen; (CN).
TSAI, Wei-Wen; (CN).
LEE, Cheng-Ping; (CN)
Mandataire : SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR TUNGSTEN
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE DESTINÉ AU TUNGSTÈNE
Abrégé : front page image
(EN)A process for chemical-mechanical polishing a substrate containing tungsten includes the steps of providing a substrate; providing a polishing composition which contains: water, an oxidizing agent, guar gum, a dicarboxylic acid, a source of iron ions, a colloidal silica abrasive and optionally a pH adjusting agent; providing a chemical mechanical polishing pad which has a polishing surface; creating dynamic contact at an interface between the polishing pad and the substrate; and dispensing the polishing composition onto the polishing surface at or near the interface between the polishing pad and the substrate to remove at least some of the tungsten. The process can reduce static corrosion rate and inhibit dishing of the tungsten and erosion of underlying dielectrics.
(FR)La présente invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat contenant du tungstène qui comprend les étapes consistant à utiliser un substrat ; à utiliser une composition de polissage qui contient : de l'eau, un agent oxydant, de la gomme de guar, un acide dicarboxylique, une source d'ions fer, un abrasif à base de silice colloïdale et éventuellement un agent d'ajustement du pH ; à utiliser un tampon de polissage chimico-mécanique qui présente une surface de polissage ; à créer un contact dynamique au niveau d'une interface entre le tampon de polissage et le substrat ; et à distribuer la composition de polissage sur la surface de polissage au niveau ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage et le substrat pour éliminer au moins une partie du tungstène. Le procédé peut réduire le taux de corrosion statique et inhiber le bombage du tungstène et l'érosion de diélectriques sous-jacents.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)