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1. (WO2018058395) PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE DESTINÉ AU TUNGSTÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/058395 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/100708
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
G
COMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1
Compositions de produits à polir
02
contenant des abrasifs ou agents de polissage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
14
Substances antidérapantes; Abrasifs
Déposants :
HO, Lin-Chen [CN/CN]; CN (SC)
TSAI, Wei-Wen [US/CN]; CN (SC)
LEE, Cheng-Ping [CN/CN]; CN (SC)
ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. [US/US]; 451 Bellevue Road Newark, Delaware 19713, US
Inventeurs :
HO, Lin-Chen; CN
TSAI, Wei-Wen; CN
LEE, Cheng-Ping; CN
Mandataire :
SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR TUNGSTEN
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE DESTINÉ AU TUNGSTÈNE
Abrégé :
(EN) A process for chemical-mechanical polishing a substrate containing tungsten includes the steps of providing a substrate; providing a polishing composition which contains: water, an oxidizing agent, xanthan gum, a dicarboxylic acid, a source of iron ions, a colloidal silica abrasive and optionally a pH adjusting agent, optionally a surfactant; providing a chemical mechanical polishing pad which has a polishing surface; creating dynamic contact at an interface between the polishing pad and the substrate; and dispensing the polishing composition onto the polishing surface at or near the interface between the polishing pad and the substrate to remove at least some of the tungsten. The process can reduce static corrosion rate and inhibit dishing of the tungsten and erosion of underlying dielectrics.
(FR) La présente invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat contenant du tungstène qui comprend les étapes consistant à utiliser un substrat ; à utiliser une composition de polissage qui contient : de l'eau, un agent oxydant, de la gomme de xanthane, un acide dicarboxylique, une source d'ions fer, un abrasif à base de silice colloïdale et éventuellement un agent d'ajustement du pH, éventuellement un tensioactif ; à utiliser un tampon de polissage chimico-mécanique qui présente une surface de polissage ; à créer un contact dynamique au niveau d'une interface entre le tampon de polissage et le substrat ; et à distribuer la composition de polissage sur la surface de polissage au niveau ou à proximité de l'interface entre le tampon de polissage et le substrat pour éliminer au moins une partie du tungstène. Le procédé peut réduire le taux de corrosion statique et inhiber le bombage du tungstène et l'érosion de diélectriques sous-jacents.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)