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1. (WO2018057539) ARCHITECTURE DE DISPOSITIF À GRILLE ENVELOPPANTE À OXYDE LOCAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/057539 N° de la demande internationale : PCT/US2017/052339
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
CIB :
H01L 29/775 (2006.01) ,H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,B82Y 10/00 (2011.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC.[US/US]; 2485 Augustine Drive Santa Clara, 95054, US
Inventeurs : SCHULTZ, Richard T.; US
Mandataire : RANKIN, Rory D.; US
Données relatives à la priorité :
15/270,98220.09.2016US
Titre (EN) GATE ALL AROUND DEVICE ARCHITECTURE WITH LOCAL OXIDE
(FR) ARCHITECTURE DE DISPOSITIF À GRILLE ENVELOPPANTE À OXYDE LOCAL
Abrégé : front page image
(EN) A device and method for fabricating the non-planar device while managing short channel and heating effects is described. A semiconductor device fabrication process includes forming a non- planar device where the body of the device (610) is insulated from the silicon substrate (105), but the source and drain regions are not insulated from the silicon substrate. The process builds a local silicon on insulator (SOI) while not insulating area around the source and drain regions from the silicon substrate. A trench is etched a length at least that of a channel length of the device while being bounded by a site for a source region and a site for a drain region. The trench is filled with relatively thick layers (110, 205, 305) to form the local SOI. When nanowires (610) of a gate are residing on top of the layer-filled trench, a second trench is etched into the top layer for depositing gate metal (1105) in the second trench.
(FR) L'invention concerne un dispositif et un procédé permettant de fabriquer un dispositif non plan tout en gérant les effets de canal court et de chauffage. Un processus de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur consiste à former un dispositif non plan dont le corps du dispositif (610) est isolé du substrat en silicium (105), sans que les régions de source et de drain ne soient isolées du substrat en silicium. Le procédé consiste à construire un silicium sur isolant local (SOI) sans isoler une zone autour des régions de source et de drain du substrat en silicium. Une tranchée longitudinale est gravée au moins sur la longueur de canal du dispositif, tout en étant délimitée par un site destiné à une région de source et un site destiné à une région de drain. La tranchée est remplie à l'aide de couches relativement épaisses (110, 205, 305) de façon à former le SOI local. Lorsque des nanofils (610) d'une grille sont situés au-dessus de la tranchée remplie de couches, une seconde tranchée est gravée dans la couche supérieure de façon à déposer un métal de grille (1105) dans la seconde tranchée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)