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1. (WO2018057490) PROCÉDÉ ET COMPOSITION DE CUIVRAGE DESTINÉS À DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2018/057490    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/052185
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
CIB :
C25D 7/00 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), C25D 3/00 (2006.01), C25D 3/02 (2006.01), C25D 3/38 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
Déposants : MACDERMID ENTHONE INC. [US/US]; 245 Freight Street Waterbury, CT 06702 (US)
Inventeurs : NAJJAR, Elie; (US).
SHAO, Wenbo; (US).
PANECCASIO, Vincent; (US).
HURTUBISE, Richard; (US).
COMMANDER, John; (US).
LI, Ivan; (TW).
VERBUNT, Han; (NL).
KRAMER, Frank, R.; (US).
YE, Pingping; (US).
RICHARDSON, Thomas; (US).
LIU, Tao-Chi; (TW)
Mandataire : CALCAGNI, Jennifer, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/398,307 22.09.2016 US
Titre (EN) COPPER PLATING METHOD AND COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ ET COMPOSITION DE CUIVRAGE DESTINÉS À DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A process for electrodepositing a copper layer on a metalizing substrate is described. The metalizing substrate comprising a seminal conductive layer positioned on and in electrically conductive communication with a photovoltaic cell panel comprising a semiconductor material. The process comprises the steps of (i) contacting the metalizing substrate with an aqueous electrodeposition composition, and (ii) supplying electrolytic current to the aqueous electrodeposition composition to cause deposit of copper on the metalizing substrate. The aqueous electrodeposition composition comprises (a) a source of copper ions, (b) an acid, (c) chloride ions, and (d) a depolarizer comprising an organic sulfonate anion selected from the group consisting of an O-alkyl-S-sulfohydrocarbylxanthate, mercaptopropane sulfonate, bis(sulfopropyl)disulfide, N,N-dimethylamino-dithiocarbamoyl-l -propane sulfonate, acid hydrolysis products of said organic sulfonates, and mixtures of said organic sulfonates and hydrolysis products.
(FR)L'invention concerne un procédé d'électrodéposition d'une couche de cuivre sur un substrat de métallisation, le substrat de métallisation comprenant une couche conductrice séminale positionnée sur et en communication électrique avec un panneau de cellule photovoltaïque comprenant un matériau semi-conducteur. Le procédé consiste (i) à mettre en contact le substrat de métallisation avec une composition d'électrodéposition aqueuse, et (ii) à fournir un courant électrolytique à la composition d'électrodéposition aqueuse en vue d'entraîner un dépôt de cuivre sur le substrat de métallisation. La composition d'électrodéposition aqueuse comprend : (a) une source d'ions cuivre, (b) un acide, (c) des ions chlorure et (d) un dépolarisant comprenant un anion sulfonate organique choisi dans le groupe constitué par un O-alkyl-S-sulfohydrocarbylxanthate, le mercaptopropane sulfonate, le bis(sulfopropyle)disulfure, le N,N-diméthylaminodithiocarbamoyl-l-propanesulfonate, des produits d'hydrolyse acide desdits sulfonates organiques et des mélanges desdits sulfonates organiques et de produits d'hydrolyse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)