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1. (WO2018057297) ÉPITAXIE D'AILETTE AVEC RELAXATION DES DÉFORMATIONS DE RÉSEAU
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N° de publication :    WO/2018/057297    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/050356
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 06.09.2017
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : GOKTEPELI, Sinan; (US)
Mandataire : HALLMAN, Jonathan W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/271,120 20.09.2016 US
Titre (EN) FIN EPITAXY WITH LATTICE STRAIN RELAXATION
(FR) ÉPITAXIE D'AILETTE AVEC RELAXATION DES DÉFORMATIONS DE RÉSEAU
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor having a first lattice constant is deposited on an exposed sidewall of a relatively small group IV semiconductor substrate fin having a second lattice constant that does not equal the first lattice constant to form a semiconductor fin without any crystal defects resulting from a lattice mismatch between the first lattice constant and the second lattice constant.
(FR)Selon l'invention, un semi-conducteur ayant une première constante de réseau est déposé sur une paroi latérale apparente d'une relativement petite ailette de substrat semi-conducteur du groupe IV ayant une seconde constante de réseau qui n'est pas égale à la première constante de réseau pour former une ailette de semi-conducteur sans aucun défaut cristallin résultant d'une incompatibilité de réseau entre la première constante de réseau et la seconde constante de réseau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)