WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018057243) ATTÉNUATION D’EFFET DE DISPOSITION DANS UN FINFET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/057243    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/048841
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 28.08.2017
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : YANG, Da; (US).
LIU, Yanxiang; (US).
YUAN, Jun; (US).
RIM, Kern; (US)
Mandataire : OLDS, Mark E.; (US).
CICCOZZI, John L.; (US).
PODHAJNY, Daniel; (US)
Données relatives à la priorité :
15/271,867 21.09.2016 US
Titre (EN) LAYOUT EFFECT MITIGATION IN FINFET
(FR) ATTÉNUATION D’EFFET DE DISPOSITION DANS UN FINFET
Abrégé : front page image
(EN)Multigate devices and fabrication methods that mitigate the layout effects are described. In conventional processes to fabricate multigate semiconductor devices such as FinFET devices, long isolation cut masks may be used. This can lead to undesirable layout effects. To mitigate or eliminate the layout effect, fabrication methods are proposed in which the interlayer dielectric (ILD) layer remains intact at the gate cut location during the fabrication process.
(FR)La présente invention concerne des dispositifs multigrilles et des procédés de fabrication qui atténuent les effets de disposition. Dans des procédés conventionnels pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteur multigrilles tels que des dispositifs FinFET, des masques découpés à isolation longue peuvent être utilisés. Cela peut conduire à des effets indésirables de disposition. Afin d’atténuer ou éliminer l’effet de disposition, l’invention concerne des procédés de fabrication dans lesquels la couche diélectrique intercouche (ILD) reste intacte à l’emplacement de coupure de grille pendant le processus de fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)