Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018057132) APPAREILS ET PROCÉDÉS DE TOPOLOGIE DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/057132 N° de la demande internationale : PCT/US2017/045744
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 07.08.2017
CIB :
H01L 27/08 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 49/02 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716, US
Inventeurs :
KONDO, Harunobu; JP
ECHIGOYA, Kenichi; JP
Mandataire :
DORSEY & WHITNEY LLP; 701 5th Ave Suite 6100 Seattle, Washington 98104, US
ENG, Kimton; US
HEGSTROM, Brandon; US
ITO, Mika; US
MAKINO, Kyoko; US
MEIKLEJOHN, Paul T.; US
NYRE, Erik; US
ORME, Nathan; US
QUECAN, Andrew; US
SPAITH, Jennifer; US
STERN, Ronald; US
WETZEL, Elen; US
ANDKEN, Kerrylee; US
Données relatives à la priorité :
15/276,36526.09.2016US
Titre (EN) APPARATUSES AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT LAYOUT
(FR) APPAREILS ET PROCÉDÉS DE TOPOLOGIE DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) Apparatuses including compensation capacitors are described. An example apparatus includes: first, second and third capacitors arranged such that the second capacitor is sandwiched between the first and third capacitors, each of the first, second and third capacitors including first and second electrodes. The first electrodes of the first, second and third capacitors are electrically coupled in common to one another. The second electrodes of the first and third capacitors are electrically coupled in common to each other. The second electrode of the second capacitor is electrically insulated from the second electrodes of the first and third capacitors.
(FR) L'invention concerne des appareils comprenant des condensateurs de compensation. Un appareil donné à titre d'exemple comprend : des premier, deuxième et troisième condensateurs agencés de telle sorte que le deuxième condensateur est pris en sandwich entre les premier et troisième condensateurs, chacun des premier, deuxième et troisième condensateurs comprenant des première et seconde électrodes. Les premières électrodes des premier, deuxième et troisième condensateurs sont couplées électriquement en commun les unes aux autres. Les secondes électrodes des premier et troisième condensateurs sont couplées électriquement en commun l'une à l'autre. La seconde électrode du deuxième condensateur est électriquement isolée des secondes électrodes des premier et troisième condensateurs.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)