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1. (WO2018057028) EMPILEMENTS DE FILMS MINCES
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N° de publication :    WO/2018/057028    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/053697
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 26.09.2016
CIB :
B41J 2/135 (2006.01), C23C 4/04 (2006.01), C23C 4/134 (2016.01), B41J 2/335 (2006.01), B41J 2/345 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070 (US)
Inventeurs : CHEN, Zhizhang; (US).
SHAARAWI, Mohammed S.; (US).
SELLS, Jeremy; (US)
Mandataire : MORRIS, Jordan E.; (US).
OAKESON, Gary P.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THIN FILM STACKS
(FR) EMPILEMENTS DE FILMS MINCES
Abrégé : front page image
(EN)A thin film stack can include a metal substrate having a thickness of from 200 angstroms to 5000 angstroms and a passivation barrier disposed on the metal substrate at a thickness of from 600 angstroms to 1650 angstroms. The passivation barrier can include a dielectric layer and an atomic layer deposition (ALD) layer disposed on the dielectric layer. The dielectric layer can have a thickness of from 550 to 950 angstroms. The ALD layer can have a thickness from 50 to 700 angstroms.
(FR)Empilement de films minces pouvant comprendre un substrat métallique ayant une épaisseur de 200 angströms à 5000 angströms et une barrière de passivation disposée sur le substrat métallique à une épaisseur de 600 angströms à 1650 angströms. La barrière de passivation peut comprendre une couche diélectrique et une couche de dépôt de couche atomique (ALD) disposée sur la couche diélectrique. La couche diélectrique peut avoir une épaisseur de 550 à 950 angströms. La couche ALD peut avoir une épaisseur de 50 à 700 angströms.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)