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1. (WO2018057021) CELLULES DE MÉMOIRE À FILAMENT MÉTALLIQUE
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N° de publication :    WO/2018/057021    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/053618
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 25.09.2016
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventeurs : PILLARISETTY, Ravi; (US).
KARPOV, Elijah V.; (US).
MAJHI, Prashant; (US).
MUKHERJEE, Niloy; (US)
Mandataire : ZAGER, Laura A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METAL FILAMENT MEMORY CELLS
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE À FILAMENT MÉTALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are metal filament memory cells, and related devices and techniques. In some embodiments, a memory cell may include: a transistor having a source/drain region; and a metal filament memory device including an active metal and an electrolyte; wherein the electrolyte is coupled between the active metal and the source/drain region when the transistor is an n-type metal oxide semiconductor (NMOS) transistor, and the active metal is coupled between the electrolyte and the source/drain region when the transistor is a p-type metal oxide semiconductor (PMOS) transistor.
(FR)L'invention concerne des cellules de mémoire à filament métallique, et des dispositifs et techniques associés. Dans certains modes de réalisation, une cellule de mémoire peut comprendre : un transistor ayant une région de source/drain; et un dispositif de mémoire à filament métallique comprenant un métal actif et un électrolyte; l'électrolyte étant couplé entre le métal actif et la région de source/drain lorsque le transistor est un semi-conducteur à oxyde métallique de type n (NMOS) , et le métal actif est couplé entre l'électrolyte et la région de source/drain lorsque le transistor est un transistor à semi-conducteur à oxyde métallique de type p (PMOS).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)