WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018057017) DISPOSITIFS À POINTS QUANTIQUES DOUBLE-FACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/057017 N° de la demande internationale : PCT/US2016/053608
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 24.09.2016
CIB :
H01L 29/775 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs : PILLARISETTY, Ravi; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
THOMAS, Nicole K.; US
GEORGE, Hubert C.; US
CLARKE, James S.; US
Mandataire : ZAGER, Laura A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DOUBLE-SIDED QUANTUM DOT DEVICES
(FR) DISPOSITIFS À POINTS QUANTIQUES DOUBLE-FACE
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed herein are quantum dot devices, as well as related computing devices and methods. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include: a quantum well stack with first and second quantum well layers, a first set of gates disposed on the quantum well stack such that the first quantum well layer is disposed between the barrier layer and the first set of gates, a first set of conductive pathways extending from the first set of gates to a first face of the quantum dot device, a second set of gates disposed on the quantum well stack such that the second quantum well layer is disposed between the barrier layer and the second set of gates, and a second set of conductive pathways extending from the second set of gates to a second face of the quantum dot device, wherein the second face is different from the first face.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à points quantiques, ainsi que des dispositifs et des procédés informatiques associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre : un empilement de puits quantiques ayant des première et seconde couches de puits quantique, un premier ensemble de portes disposées sur la pile de puits quantiques de telle sorte que la première couche de puits quantique est disposée entre la couche barrière et le premier ensemble de grilles, un premier ensemble de voies conductrices s'étendant à partir du premier ensemble de grilles jusqu'à une première face du dispositif à points quantiques, un second ensemble de grilles disposées sur la pile de puits quantique de telle sorte que la seconde couche de puits quantique est disposée entre la couche barrière et le second ensemble de grilles, et un second ensemble de voies conductrices s'étendant du second ensemble de grilles jusqu'à une seconde face du dispositif à points quantiques, la seconde face étant différente de la première face.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)