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1. (WO2018057015) TRANSISTORS À ÉLECTRON UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/057015 N° de la demande internationale : PCT/US2016/053606
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 24.09.2016
CIB :
H01L 29/76 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01) ,B82Y 10/00 (2011.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs : GEORGE, Hubert C.; US
Mandataire : ZAGER, Laura A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SINGLE ELECTRON TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS À ÉLECTRON UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed herein are single electron transistor (SET) devices, and related methods and devices. In some embodiments, a SET device may include: first and second source/drain (S/D) electrodes disposed on a side face of a first insulating support and on a side face of a second insulating support, respectively; an island disposed between the first and second S/D electrodes and extending into an area between the first and second insulating supports. In some embodiments, a SET device may include: first and second S/D electrodes disposed on a substrate; an island disposed in an area between the first and second S/D electrodes; first and second portions of dielectric disposed between the island and the first and second S/D electrodes, respectively; and a third portion of dielectric disposed between the substrate and the island.
(FR) L'invention concerne des dispositifs de transistor à électron unique (SET), et des procédés et des dispositifs associés. Dans certains modes de réalisation, un dispositif SET peut comprendre : des première et seconde électrodes source/drain (S/D) disposées sur une face latérale d'un premier support isolant et sur une face latérale d'un second support isolant, respectivement ; un îlot disposé entre les première et seconde électrodes S/D et s'étendant dans une zone entre les premier et second supports isolants. Dans certains modes de réalisation, un dispositif SET peut comprendre : des première et seconde électrodes S/D disposées sur un substrat ; un îlot disposé dans une zone entre les première et seconde électrodes S/D ; des première et deuxième parties de diélectrique disposées entre l'îlot et les première et seconde électrodes S/D, respectivement ; et une troisième partie de diélectrique disposée entre le substrat et l'îlot.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)