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1. (WO2018056965) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE MULTICOUCHE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES MULTICOUCHES
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N° de publication :    WO/2018/056965    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/052824
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 21.09.2016
CIB :
H01L 21/70 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, Massachusetts 02139 (US)
Inventeurs : DAS, Rabindra, N.; (US)
Mandataire : CROOKER, Albert, C.; (US).
THOMAS, William, R.; (US).
LANGE, Kristoffer, W.; (US).
DALY, Christopher, S.; (US).
ROBINSON, Kermit; (US).
MOOSEY, Anthony, T.; (US).
DURKEE, Paul, D.; (US).
CROWLEY, Judith, C.; (US).
MOFFORD, Donald, F.; (US).
DOWNING, Marianne, M.; (US).
MILMAN, Seth, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTI-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHODS FOR FABRICATING MULTI-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE MULTICOUCHE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES MULTICOUCHES
Abrégé : front page image
(EN)A multi-layer semiconductor device (or structure) includes at least two semiconductor structures, each of the at least two semiconductor structures having first and second opposing surfaces. Additionally, each of the at least two semiconductor structures includes a first section having first and second opposing surfaces and a plurality of electrical connections extending between select portions of the first and second surfaces. Each of the at least two semiconductor structures also includes a second section having first and second opposing surfaces, with the first surface of the second section disposed over and coupled to the second surface of the first section. Methods for fabricating a multi-layer semiconductor structure from a plurality of semiconductor structures are also provided.
(FR)Un dispositif à semi-conducteur multicouche (ou une structure) comprend au moins deux structures semi-conductrices, chacune des deux structures semi-conductrices ou plus ayant des première et seconde surfaces opposées. De plus, chacune des deux structures semi-conductrices ou plus comprend une première section ayant des première et seconde surfaces opposées et une pluralité de connexions électriques s'étendant entre des parties sélectionnées des première et seconde surfaces. Chacune des deux structures semi-conductrices ou plus comprend également une seconde section ayant des première et seconde surfaces opposées, la première surface de la seconde section étant disposée sur la seconde surface de la première section et couplée à celle-ci. L'invention concerne également des procédés de fabrication d'une structure semi-conductrice multicouche à partir d'une pluralité de structures semi-conductrices.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)