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1. (WO2018056861) PHOTODÉTECTEURS À AVALANCHE
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N° de publication : WO/2018/056861 N° de la demande internationale : PCT/RU2016/000708
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 18.10.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 27.06.2018
CIB :
H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : LIMITED LIABILITY COMPANY "DEPHAN" (LLC "DEPHAN")[RU/RU]; ul. Novaya, 100 Skolkovo Moskovskaya obl., 143025, RU
Inventeurs : SHUBIN, Vitaly Emmanuilovich; RU
SHUSHAKOV, Dmitry Alexeevich; RU
KOLOBOV, Nikolay Afanasievich; RU
Mandataire : KOTLOV, Dmitry Vladimirovich; IP Center "Skolkovo" LLC,Territory of the Innovation Center "Skolkovo", 4, of. 402.1 Moscow, 143026, RU
Données relatives à la priorité :
201613750120.09.2016RU
Titre (EN) AVALANCHE PHOTODETECTORS
(FR) PHOTODÉTECTEURS À AVALANCHE
Abrégé : front page image
(EN) An avalanche photodetector (APD) includes a photo converter for signals to be demodulated into free charge carriers; and at least one avalanche amplifier for the free charge carriers. The photo converter and the avalanche amplifier are located next to each other on the same substrate and are in direct contact with each other. The avalanche amplifier includes a contact layer and a multiplier layer. The multiplier layer is made of a semiconductor of the same conductivity type as the photo converter and faces the substrate abutting the photo converter on one side. A first electrode is on the contact layer of the avalanche amplifier, while the second electrode is on a bottom of the substrate.
(FR) La présente invention concerne un photodétecteur à avalanche (APD) qui comprend un convertisseur photoélectrique de signaux destinés à être démodulés en porteurs de charge libres ; et au moins un amplificateur à avalanche destiné aux porteurs de charge libres. Le convertisseur photoélectrique et l'amplificateur à avalanche sont disposés l'un à côté de l'autre sur le même substrat et sont en contact direct l'un avec l'autre. L'amplificateur à avalanche comprend une couche de contact et une couche de multiplicateur. La couche de multiplicateur est constituée d'un semi-conducteur du même type de conductivité que le convertisseur photoélectrique et fait face au substrat venant en butée contre le convertisseur photoélectrique sur un côté. Une première électrode se trouve sur la couche de contact de l'amplificateur à avalanche, tandis que la seconde électrode se trouve sur un fond du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)