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1. (WO2018056578) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À POINTS QUANTIQUES COMPRENANT UNE JONCTION DE GÉNÉRATION DE CHARGE DE TYPE À TRAITEMENT DE SOLUTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/056578    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/008892
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 16.08.2017
CIB :
H01L 51/50 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01), H01L 51/52 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY-INDUSTRY COOPERATION GROUP OF KYUNG HEE UNIVERSITY [KR/KR]; 1732, Deogyeong-daero Giheung-gu, Yongin-si Gyeonggi-do 17104 (KR)
Inventeurs : JANG, Jin; (KR).
HWANG, Eun Sa; (KR).
KIM, Hyo Min; (KR)
Mandataire : KIM, Youn Gwon; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0123173 26.09.2016 KR
Titre (EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING ELEMENT COMPRISING SOLUTION PROCESS-TYPE CHARGE-GENERATING JUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À POINTS QUANTIQUES COMPRENANT UNE JONCTION DE GÉNÉRATION DE CHARGE DE TYPE À TRAITEMENT DE SOLUTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 용액 공정형 전하 생성 접합을 포함하는 양자점 발광소자 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a structure of a quantum dot light-emitting element comprising a charge-generating junction layer and a method for manufacturing the same. A quantum dot light-emitting element comprising a charge-generating junction layer according to an embodiment of the present invention comprises: a negative electrode; a first charge-generating junction layer comprising a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer; a quantum dot light-emitting layer; a hole-transporting layer; a second charge-generating junction layer comprising a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer; and a positive layer. The first charge-generating junction layer and the second charge-generating junction layer are formed through a solution process such that generation and injection of charges are stabilized, the process time is shortened, and problems regarding the work function of the positive or negative electrode of the quantum dot light-emitting element can be improved.
(FR)La présente invention porte sur une structure d'un élément électroluminescent à points quantiques comprenant une couche de jonction de génération de charge ainsi que sur son procédé de fabrication. Un élément électroluminescent à points quantiques comprenant une couche de jonction de génération de charge selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une électrode négative; une première couche de jonction de génération de charge comprenant une couche semi-conductrice de type p et une couche semi-conductrice de type n; une couche électroluminescente à points quantiques; une couche de transport de trous; une seconde couche de jonction de génération de charge comprenant une couche semi-conductrice de type p et une couche semi-conductrice de type n; et une couche positive. La première couche de jonction de génération de charge et la seconde couche de jonction de génération de charge sont formées au moyen d'un traitement de solution de telle sorte que la génération et l'injection de charges soient stabilisées, que le temps de traitement soit écourté et que des problèmes se rapportant à la fonction de travail de l'électrode positive ou négative de l'élément électroluminescent à points quantiques puissent être améliorés.
(KO)본 발명은 전하 생성 접합층을 포함하는 양자점 발광소자의 구조 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 음극, p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 제1 전하 생성 접합층, 양자점 발광층, 정공 수송층, p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 제2 전하 생성 접합층 및 양극을 포함하고, 상기 제1 전하 생성 접합층 및 제2 전하 생성 접합층을 용액 공정으로 형성하여 전하의 생성 및 주입을 안정화하고, 공정 시간을 단축시키며, 양자점 발광소자의 양극 또는 음극의 일함수 (Work-function)에 대한 문제점을 개선할 수 있는 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)