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1. (WO2018056570) POINTS QUANTIQUES OCCUPÉS PAR UN ÉLECTRON UNIQUE ET PROCÉDÉ DE RÉGULATION DU MAGNÉTISME CORRESPONDANT
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N° de publication : WO/2018/056570 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/008471
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 04.08.2017
CIB :
C09K 11/89 (2006.01) ,C09K 11/54 (2006.01) ,C09K 11/08 (2006.01) ,C09K 11/62 (2006.01) ,C09K 11/64 (2006.01) ,C09K 11/66 (2006.01) ,C09K 11/59 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,B82Y 20/00 (2011.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
89
contenant du mercure
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
54
contenant du zinc ou du cadmium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
62
contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
64
contenant de l'aluminium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
66
contenant du germanium, de l'étain ou du plomb
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
59
contenant du silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
20
Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
Déposants : KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION[KR/KR]; 145, Anam-ro Seongbuk-gu Seoul 02841, KR
Inventeurs : JEONG, Kwang Seob; KR
JEONG, Ju Yeon; KR
Mandataire : KIM, Soon Woong; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-012311026.09.2016KR
Titre (EN) SINGLE ELECTRON-OCCUPIED QUANTUM DOTS AND METHOD FOR CONTROLLING MAGNETISM THEREOF
(FR) POINTS QUANTIQUES OCCUPÉS PAR UN ÉLECTRON UNIQUE ET PROCÉDÉ DE RÉGULATION DU MAGNÉTISME CORRESPONDANT
(KO) 단일 전자 점유된 양자점 및 이의 자성 제어방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to single electron-occupied quantum dots and a method for controlling the magnetism thereof and, more specifically, to quantum dot nanoparticles comprising single electrons in the quantized energy level of a conduction band, and to a method for controlling the magnetism thereof. The method for controlling the magnetism of quantum dots according to the present invention can fill the quantized energy level in a conduction band of the quantum dot with single electrons by controlling the time for a chemical reaction of quantum dots and the ratio of metal to calcogen, and can control the magnetism of the quantum dots by adjusting the number of electrons. In addition, the quantum dots are prepared by comprising a thiol-less ligand, so that the n-type doping of quantum dots can be maintained and the ligand substitution is very easy, compared with a conventional thiol ligand.
(FR) La présente invention concerne des points quantiques occupés par un électron unique et un procédé de régulation du magnétisme correspondant et, plus particulièrement, des nanoparticules de points quantiques comprenant des électrons uniques dans le niveau d'énergie quantifié d'une bande de conduction et un procédé de régulation du magnétisme correspondant. Le procédé de régulation du magnétisme de points quantiques selon la présente invention peut remplir le niveau d'énergie quantifié dans une bande de conduction du point quantique par des électrons uniques par la régulation du temps pour une réaction chimique de points quantiques et du rapport métal/chalcogène et peut réguler le magnétisme des points quantiques par l'ajustement du nombre d'électrons. De plus, les points quantiques sont préparés en ce qu'ils comprennent un ligand sans thiol, de sorte que le dopage de type n de points quantiques peut être maintenu et la substitution de ligand est très facile, par comparaison avec un ligand thiol classique.
(KO) 본 발명은 단일 전자 점유된 양자점 및 이의 자성 제어방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 전도대의 양자화된 에너지 준위에 단일 전자를 포함하는, 양자점 나노입자 및 이의 자성 제어방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자점의 자성 제어방법은 양자점의 화학적 반응시간과 금속 대 칼코겐의 비율을 조절함으로써, 양자점의 전도대 내 양자화된 에너지 준위를 단일 전자로 채울 수 있으며, 또한 전자의 수를 조절하여 양자점의 자성을 제어할 수 있는 효과가 있다. 또한 상기 양자점은 무티올 리간드를 포함하여 제조됨으로써, 종래 티올 리간드에 비해 양자점의 n 타입 도핑을 유지하면서 동시에 리간드 치환이 매우 용이한 효과가 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)