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1. (WO2018056328) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/056328 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/033970
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 20.09.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants : SCREEN HOLDINGS CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs : IWAI, Toshiki; JP
MACHIDA, Eisaku; JP
OKADA, Yoshifumi; JP
Mandataire : AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Données relatives à la priorité :
2016-18724626.09.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理方法、基板処理装置、および、記録媒体
Abrégé :
(EN) A substrate processing method comprises: a substrate holding step of holding a substrate horizontally; a substrate rotating step of rotating the substrate being held horizontally about a rotating axis along a vertical direction; a brush contact step of bringing a brush for cleaning an upper surface of the substrate being held horizontally into contact with the upper surface of the substrate being rotated; a brush moving step of moving the brush, in parallel with the brush contact step, between a position for contacting the center of the upper surface of the substrate being held horizontally and a position for contacting the outer periphery of the upper surface of the substrate; and a speed setting step in which the upper surface of the substrate is divided into a plurality of areas by a circular virtual line concentric with the substrate, priority is set in each of the areas, and the moving speed of the brush in the brush moving step is set so that the moving speed of the brush becomes lower for areas with higher priorities.
(FR) Un procédé de traitement de substrat comprend : une étape de maintien de substrat maintenu horizontalement; une étape de rotation de substrat consistant à faire tourner le substrat qui est maintenu horizontalement autour d'un axe de rotation le long d'une direction verticale; une étape de contact de brosse consistant à amener une brosse pour nettoyer une surface supérieure du substrat qui est maintenue horizontalement en contact avec la surface supérieure du substrat en cours de rotation; une étape de déplacement de brosse consistant à déplacer la brosse, en parallèle avec l'étape de contact de brosse, entre une position pour entrer en contact avec le centre de la surface supérieure du substrat qui est maintenu horizontalement et une position pour entrer en contact avec la périphérie extérieure de la surface supérieure du substrat; et une étape de réglage de vitesse dans laquelle la surface supérieure du substrat est divisée en une pluralité de zones par une ligne virtuelle circulaire concentrique avec le substrat, la priorité est définie dans chacune des zones, et la vitesse de déplacement de la brosse dans l'étape de déplacement de brosse est réglée de telle sorte que la vitesse de déplacement de la brosse devienne inférieure pour des zones ayant des priorités plus élevées.
(JA) 基板処理方法は、基板を水平に保持する基板保持工程と、前記水平に保持された基板を、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりに回転させる基板回転工程と、前記水平に保持された基板の上面を洗浄するためのブラシを回転状態の前記基板の上面に接触させるブラシ接触工程と、前記ブラシ接触工程と並行して、前記水平に保持された基板の上面の中央に接触する位置と、当該基板の上面の外周に接触する位置との間で前記ブラシを移動させるブラシ移動工程と、前記基板の上面を当該基板と同心の円形の仮想線で複数の領域に分割し、各前記領域に優先度を設定し、前記優先度が高い前記領域ほど前記ブラシの移動速度が低くなるように前記ブラシ移動工程における前記ブラシの移動速度を設定する速度設定工程とを含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)