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1. (WO2018056114) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/056114    International Application No.:    PCT/JP2017/032833
Publication Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Sep 13 01:59:59 CEST 2017
IPC: C01B 25/08
B82Y 20/00
B82Y 40/00
C01G 15/00
C09K 11/08
C09K 11/70
Applicants: FUJIFILM CORPORATION
富士フイルム株式会社
Inventors: YOSHIDA, Yuji
吉田 有次
WADA, Kenji
和田 健二
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
[Problème] Le problème décrit par la présente invention est de fournir un procédé de production de points quantiques semi-conducteurs du groupe III-V, ledit procédé permettant d'obtenir des points quantiques semi-conducteurs du groupe III-V présentant des propriétés d'émission de lumière vives et une demi-largeur de pic d'émission étroite, et d'obtenir une luminance élevée en résultat d'un excellent rendement quantique. [Solution] Ce procédé de production de points quantiques semi-conducteurs du groupe III-V comprend les étapes suivantes (a) et (b) : (a) une étape dans laquelle une solution, qui contient un solvant, un composé a1 comprenant un élément du groupe III, et un composé a2 comprenant un élément du groupe V, est maintenue entre 270 et 400 °C, et le composé a1 et le composé a2 sont mis à réagir pour former des nanoparticules semi-conductrices du groupe III-V dans ladite solution; et (b) une étape dans laquelle la solution ayant lesdites nanoparticules formées à l'intérieur de celle-ci est refroidie à 250 °C à une vitesse de refroidissement de 0,3 à 3 °C/min.