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1. (WO2018056038) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UNE RECETTE DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, ET DISPOSITIF DE CRÉATION D'UNE RECETTE DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/056038 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031796
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 04.09.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
樋口 鮎美 HIGUCHI, Ayumi; JP
小森 香奈 KOMORI, Kana; JP
Mandataire :
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Données relatives à la priorité :
2016-18709826.09.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE CLEANING METHOD, METHOD FOR CREATING SUBSTRATE CLEANING RECIPE, AND DEVICE FOR CREATING SUBSTRATE CLEANING RECIPE
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UNE RECETTE DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, ET DISPOSITIF DE CRÉATION D'UNE RECETTE DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT
(JA) 基板洗浄方法、基板洗浄レシピ作成方法、および基板洗浄レシピ作成装置
Abrégé :
(EN) Provided is a substrate cleaning method for cleaning a substrate having an oxide film on a surface thereof. This method comprises: a partial etching step for etching the oxide film to a predetermined film thickness; and, after the partial etching step, a physical cleaning step for executing physical cleaning with respect to the surface of the substrate. The oxide film may be a native oxide film that has taken in particles at least partially. In this case, the partial etching step may be a step for exposing the particles from the native oxide film or for increasing portions exposed from the native oxide film. The physical cleaning may be a step for removing, by a physical action, the particles exposed from the native oxide film while leaving the native oxide film on the surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de nettoyage de substrat visant à nettoyer un substrat présentant un film d'oxyde sur une de ses surfaces. Le présent procédé comporte: une étape de gravure partielle consistant à graver le film d'oxyde jusqu'à une épaisseur de film prédéterminée; et, après l'étape de gravure partielle, une étape de nettoyage physique consistant à exécuter un nettoyage physique par rapport à la surface du substrat. Le film d'oxyde peut être un film d'oxyde natif ayant incorporé au moins partiellement des particules. Dans ce cas, l'étape de gravure partielle peut être une étape consistant à exposer les particules à partir du film d'oxyde natif ou à accroître des parties exposées du film d'oxyde natif. Le nettoyage physique peut être une étape consistant à éliminer, par une action physique, les particules exposées à partir du film d'oxyde natif tout en laissant le film d'oxyde natif sur la surface du substrat.
(JA) 表面に酸化膜を有する基板を洗浄する基板洗浄方法が提供される。この方法は、前記酸化膜を所定の膜厚までエッチングする部分エッチング工程と、前記部分エッチング工程の後に、前記基板の表面に対して物理洗浄を実行する物理洗浄工程と、を含む。前記酸化膜は、パーティクルを少なくとも部分的に取り込んだ自然酸化膜であってもよい。この場合、前記部分エッチング工程は、前記パーティクルを前記自然酸化膜から露出させるか、または前記自然酸化膜からの露出部分を増加させる工程であってもよい。また、前記物理洗浄は、前記自然酸化膜を前記基板の表面に残しながら、前記自然酸化膜から露出したパーティクルを物理的な作用によって除去する工程であってもよい。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)