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1. (WO2018055917) CREUSET DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SiC
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N° de publication : WO/2018/055917 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027672
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
C30B 29/36 (2006.01) ,C01B 32/956 (2017.01) ,C30B 23/06 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K.[JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
DENSO CORPORATION[JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661, JP
Inventeurs : NOGUCHI Shunsuke; JP
OYA Nobuyuki; JP
Mandataire : OIKAWA Shu; JP
ARA Norihiko; JP
KATSUMATA Tomoo; JP
Données relatives à la priorité :
2016-18595223.09.2016JP
Titre (EN) SiC-MONOCRYSTAL GROWTH CRUCIBLE
(FR) CREUSET DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SiC
(JA) SiC単結晶成長用坩堝
Abrégé : front page image
(EN) Provided is an SiC-monocrystal growth crucible that includes, at the interior thereof, a monocrystal installation part and a raw-material installation part, and that serves as a crucible for obtaining an SiC monocrystal by means of sublimation, wherein the gas permeability of a first wall of the crucible, which surrounds at least a portion of a first region positioned closer to the raw-material installation part relative to the monocrystal installation part, is lower than the gas permeability of a second wall of the crucible, which surrounds at least a portion of a second region positioned on the opposite side from the raw-material installation part relative to the monocrystal installation part.
(FR) L'invention concerne un creuset de croissance de monocristal de SiC qui comprend, à l'intérieur de ce dernier, une partie d'installation de monocristal et une partie d'installation de matière première, et qui sert de creuset pour obtenir un monocristal de SiC par sublimation, la perméabilité au gaz d'une première paroi du creuset, qui entoure au moins une partie d'une première région positionnée plus près de la partie d'installation de matière première par rapport à la partie d'installation de monocristal, étant inférieure à la perméabilité au gaz d'une seconde paroi du creuset, qui entoure au moins une partie d'une seconde région positionnée du côté opposé à la partie d'installation de matière première par rapport à la partie d'installation de monocristal.
(JA) このSiC単結晶成長用坩堝は、内部に単結晶設置部と、原料設置部とを有し、昇華法によりSiC単結晶を得るための坩堝であって、前記単結晶設置部を基準に前記原料設置部側に位置する第1領域の少なくとも一部を囲む前記坩堝の第1壁のガス透過度は、前記単結晶設置部を基準に前記原料設置部と反対側に位置する第2領域の少なくとも一部を囲む前記坩堝の第2壁のガス透過度より低い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)