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1. (WO2018055730) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
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N° de publication : WO/2018/055730 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/078031
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 23.09.2016
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.[JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
Inventeurs : SASAKI, Shinya; JP
MICHITA, Noriaki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATE TREATING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
Abrégé : front page image
(EN) Provided is an art comprising: a treating chamber in which a substrate is treated; a heating device that heats the substrate with electromagnetic wave; a gas supplying unit including at least a hydrogen-containing gas supply system that supplies hydrogen-containing gas into the treating chamber, and an inert gas supply system that supplies inert gas into the treating chamber; a plasma generating unit that excites the hydrogen-containing gas by plasma; and a control unit that is configured to control the heating device, the gas supplying unit, and the plasma generating unit such that hydrogen atoms are added on the surface of the substrate by supplying, to the substrate, the hydrogen-containing gas excited by the plasma generating unit and the substrate is reformed by heating the substrate with the electromagnetic wave after addition of the hydrogen atoms. This enables providing an electromagnetic wave heat treatment art capable of uniformly treating an object to be treated.
(FR) L'invention concerne un état de la technique comprenant : une chambre de traitement dans laquelle un substrat est traité; un dispositif de chauffage qui chauffe le substrat avec une onde électromagnétique; une unité d'alimentation en gaz comprenant au moins un système d'alimentation en gaz contenant de l'hydrogène qui fournit du gaz contenant de l'hydrogène dans la chambre de traitement, et un système d'alimentation en gaz inerte qui fournit un gaz inerte dans la chambre de traitement; une unité de génération de plasma qui excite le gaz contenant de l'hydrogène par plasma; et une unité de commande qui est configurée pour commander le dispositif de chauffage, l'unité d'alimentation en gaz et l'unité de génération de plasma de telle sorte que des atomes d'hydrogène soient ajoutés sur la surface du substrat en fournissant, au substrat, le gaz contenant de l'hydrogène excité par l'unité de génération de plasma et le substrat est reformé par chauffage du substrat avec l'onde électromagnétique après addition des atomes d'hydrogène. Ceci permet de fournir une technique de traitement thermique à ondes électromagnétiques capable de traiter uniformément un objet à traiter.
(JA) 基板を処理する処理室と、前記基板を電磁波によって加熱する加熱装置と、前記処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、前記処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系とを少なくとも有するガス供給部と、前記水素含有ガスをプラズマによって励起させるプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部によって励起された前記水素含有ガスを前記基板に供給して前記基板表面に水素原子を添加し、前記水素原子を添加した後に前記電磁波によって前記基板を加熱することで前記基板を改質させるように前記加熱装置、前記ガス供給部、前記プラズマ生成部のそれぞれを制御するよう構成される制御部と、を有する技術を提供する。これにより、処理対象を均一に処理可能な電磁波熱処理技術を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)