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1. (WO2018054895) DISPOSITIF D'ANALYSE OPTIQUE ET PROCÉDÉ D'ANALYSE OPTIQUE PAR RAYONS VISIBLES ET INFRAROUGES POUR COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/054895 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/073619
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 17.07.2018
CIB :
G01N 21/95 (2006.01)
Déposants : MUEHLBAUER GMBH & CO. KG[DE/DE]; Josef-Muehlbauer-Platz 1 93426 Roding, DE
Inventeurs : PRAKAPENKA, Uladimir; DE
SPICHTINGER, Stephan; DE
MIEHLICH, Rainer; DE
Mandataire : SCHMIDT, Steffen J.; DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 011 497.521.09.2016DE
Titre (EN) OPTICAL EXAMINATION DEVICE AND OPTICAL EXAMINATION METHOD WITH VISIBLE AND INFRARED LIGHT FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) DISPOSITIF D'ANALYSE OPTIQUE ET PROCÉDÉ D'ANALYSE OPTIQUE PAR RAYONS VISIBLES ET INFRAROUGES POUR COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS
(DE) OPTISCHE UNTERSUCHUNGSEINRICHTUNG UND OPTISCHES UNTERSUCHUNGSVERFAHREN MIT SICHTBAREM UND INFRAROTEM LICHT FÜR HALBLEITERBAUTEILE
Abrégé : front page image
(EN) An optical examination device (200) is suitable and designed to detect properties of a semiconductor component (2). It comprises a first illumination arrangement (4, 6), a second illumination arrangement (8, 10) and an imaging device (12, 14), the first illumination arrangement emitting infrared light onto a first surface of the semiconductor component, which faces away from the imaging device (camera). The infrared light fully penetrates the semiconductor component at least proportionally. The second illumination arrangement emits visible light onto a second surface of the semiconductor component, which faces the imaging device. The imaging device is designed and arranged to detect the light spectrum emitted from both the first and second illumination arrangement, and as a result of a subsequent image evaluation on the basis of both the visible and the infrared light spectrum, to provide a separate image reduction for determining property defects or damage of the semiconductor component.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'analyse (200) optique approprié et déterminé pour détecter des propriétés d'un composant semi-conducteur (2). Ledit dispositif comprend un premier dispositif d'éclairage (4, 6), un second dispositif d'éclairage (8, 10) et dispositif générateur d'images (12, 14), le premier dispositif d'éclairage émettant des rayons infrarouges sur une première surface du composant semi-conducteur située à l'opposé du dispositif générateur d'images (caméra). Les rayons infrarouges traversent au moins en partie complètement le composant semi-conducteur. Le second dispositif d'éclairage émet des rayons visibles sur une seconde surface tournée vers le dispositif générateur d'images. Le dispositif générateur d'images est conçu et agencé pour détecter aussi bien le spectre lumineux émis par le premier et le second dispositif d'éclairage et pour fournir à une évaluation subséquente, sur la base aussi bien du spectre lumineux des rayons visibles que celui des rayons infrarouges, une acquisition d'image séparée pour déterminer des défauts de qualité ou des endommagements du composant semi-conducteur.
(DE) Eine optische Untersuchungseinrichtung (200) ist geeignet und bestimmt zur Erfassung von Eigenschaften eines Halbleiterbauteils (2). Sie umfasst eine erste Beleuchtungsanordnung (4, 6), eine zweite Beleuchtungsanordnung (8, 10)und eine bildgebende Vorrichtung (12, 14), wobei die erste Beleuchtungsanordnung infrarotes Licht auf eine der bildgebenden Vorrichtung (Kamera) abgewandte erste Oberfläche des Halbleiterbauteils emittiert. Das infrarote Licht durchdringt zumindest anteilig das Halbleiterbauteil vollständig. Die zweite Beleuchtungsanordnung emittiert sichtbares Licht auf eine der bildgebenden Vorrichtung zugewandte zweite Oberfläche des Halbleiterbauteils. Die bildgebende Vorrichtung ist dazu ausgebildet und angeordnet, sowohl das von der ersten und zweiten Beleuchtungsanordnung emittierte Lichtspektrum zu erfassen, und einer nachgeordneten Bildauswertung auf Grundlage sowohl des sichtbaren als auch des infraroten Lichtspektrums einen separaten Bildeinzug zur Ermittlung von Eigenschaftsfehlern oder Beschädigungen des Halbleiterbauteils bereitzustellen.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)