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1. (WO2018054647) PROCÉDÉ D’EXPOSITION PAR PROJECTION ET SYSTÈME D’EXPOSITION PAR PROJECTION POUR MICROLITHOGRAPHIE
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N° de publication :    WO/2018/054647    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/071303
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 24.08.2017
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/095 (2006.01)
Déposants : CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Str. 2 73447 Oberkochen (DE)
Inventeurs : PATRA, Michael; (DE)
Mandataire : PATENTANWÄLTE RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PARTNER MBB; Kronenstraße 30 70174 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 217 929.2 20.09.2016 DE
Titre (DE) PROJEKTIONSBELICHTUNGSVERFAHREN UND PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE
(EN) PROJECTION EXPOSURE METHOD AND PROJECTION EXPOSURE SYSTEM FOR MICROLITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ D’EXPOSITION PAR PROJECTION ET SYSTÈME D’EXPOSITION PAR PROJECTION POUR MICROLITHOGRAPHIE
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem Projektionsbelichtungsverfahren zur Belichtung eines im Bereich einer Bildebene eines Projektionsobjektivs angeordneten Substrats mit mindestens einem Bild eines im Bereich einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters einer Maske wird ein Substrat(SUB) mit einem strahlungsempfindlichen Mehrschichtsystem (MS)beschichtet, das eine erste Fotolackschicht (FLS1) aus einem ersten Fotolackmaterial und zwischen der ersten Fotolackschicht und dem Substrat eine separat aufgebrachte zweite Fotolackschicht (FLS2) aus einem zweiten Fotolackmaterial umfasst, wobeidas erste Fotolackmaterial in einem ersten Wellenlängenbereich eine relativ hohe erste Sensitivität und in einem von dem ersten Wellenlängenbereich separaten zweiten Wellenlängenbereich eine relativ zur ersten Sensitivität geringere zweite Sensitivität aufweist, unddas zweite Fotolackmaterial in dem zweiten Wellenlängenbereich eine belichtungsgeeignete zweite Sensitivitätaufweist. Dasmit dem strahlungsempfindlichen Mehrschichtsystem (MS) beschichtete Substrat wird mit dem Bild des Musters belichtet, wobei Strahlung einer Strahlungsquelleverwendet wird, die einen Arbeitswellenlängenbereichaufweist, der den ersten Wellenlängenbereich und den zweiten Wellenlängenbereich umfasst. Dazu wird ein Projektionsobjektivverwendet, das für den ersten Wellenlängenbereich und den zweiten Wellenlängenbereich derart korrigiert ist, dass ein zu dem ersten Wellenlängenbereich gehöriger erster Fokusbereich (FOC1) gegenüber einem zu dem zweiten Wellenlängenbereich gehörigen zweiten Fokusbereich (FOC2) um einen Fokusabstand (FOC) versetzt ist. Der erste Fokusbereich (FOC1) liegt innerhalb der ersten Fotolackschicht (FLS1) und der zweite Fokusbereich (FOC2) liegt innerhalb der zweiten Fotolackschicht (FLS2).
(EN)The invention relates to a projection exposure method for exposing a substrate arranged in the region of an image plane of a projection lens with at least one image of a mask pattern arranged in the region of an object plane of the projection lens. A substrate (SUB) is coated with a radiation-sensitive multilayer system (MS), which comprises a photoresist layer (FLS1) that is made of a first photoresist material and a second photoresist layer (FLS2) that is made of a second photoresist material and is applied separately between the first photoresist layer and the substrate. The first photoresist material has a relatively high first sensitivity in a first wavelength range and a second sensitivity which is lower than the first sensitivity in a second wavelength range that is separate from the first wavelength range, and the second photoresist material has a second sensitivity which is suitable for exposure in the second wavelength range. The substrate coated with the radiation-sensitive multilayer system (MS) is exposed with the image of the pattern, and the radiation of a radiation source is used, said radiation having a working wavelength range which comprises the first wavelength range and the second wavelength range. For this purpose, a projection lens is used which is corrected for the first wavelength range and the second wavelength range such that a first focus region (FOC1) belonging to the first wavelength range is offset relative to a second focus region (FOC2) belonging to the second wavelength range by a focal distance (FOC). The first focus region (FOC1) lies within the first photoresist layer (FLS1), and the second focus region (FOC2) lies within the second photoresist layer (FLS2).
(FR)L’invention concerne un procédé d’exposition par projection servant à exposer un substrat agencé dans la zone d’un plan d’image d’un objectif de projection à au moins une image d’un motif d’un masque agencé dans la zone d'un plan d’objet de l’objectif de projection. Un substrat (SUB) est revêtu d’un système multicouche (MS) sensible au rayonnement qui comprend une première couche photorésist (FLS1) composée d’un premier matériau photorésist et une seconde couche photorésist (FLS2) appliquée séparément entre la première couche photorésist et le substrat, le premier matériau photorésist présentant dans une première plage de longueur d’onde une première sensibilité relativement élevée et dans une seconde plage de longueur d’onde séparée de la première plage de longueur d’onde une seconde sensibilité moins élevée que la première sensibilité, et le second matériau photorésist présentant dans la seconde plage de longueur d’onde une seconde sensibilité appropriée pour l’exposition. Le substrat revêtu du système multicouche (MS) sensible au rayonnement est exposé à l’image du motif, le rayonnement utilisant une source de rayonnement qui présente une plage de longueur d'onde de travail qui comprend la première plage de longueur d’onde et la seconde plage de longueur d’onde. On utilise à cette fin un objectif de projection qui est corrigé pour la première plage de longueur d’onde et la seconde plage de longueur d’onde de telle manière qu’une première zone focale (FOC1) faisant partie de la première plage de longueur d’onde est décalée d’une distance focale (FOC) par rapport à une seconde zone focale (FOC2) faisant partie de la seconde plage de longueur d’onde. La première zone focale (FOC1) se trouve à l’intérieur de la première couche photorésist (FLS1) et la seconde zone focale (FOC2) se trouve à l’intérieur de la seconde couche photorésist (FLS2)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)