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1. (WO2018054596) CAPTEUR DE TEMPÉRATURE INTÉGRÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR DE TEMPÉRATURE INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D'UNE TEMPÉRATURE AU MOYEN D'UN CAPTEUR DE TEMPÉRATURE INTÉGRÉ
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N° de publication : WO/2018/054596 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/069940
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 07.08.2017
CIB :
G01K 11/24 (2006.01)
Déposants : AMS INTERNATIONAL AG[CH/CH]; Rietstrasse 4 8640 Rapperswil, CH
Inventeurs : ZIVKOVIC, Zoran; NL
VAN DER AVOORT, Casper; NL
BESLING, Willem Frederik Adrianus; NL
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
16189956.221.09.2016EP
Titre (EN) INTEGRATED TEMPERATURE SENSOR, METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED TEMPERATURE SENSOR AND METHOD FOR DETERMINING A TEMPERATURE BY MEANS OF AN INTEGRATED TEMPERATURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE TEMPÉRATURE INTÉGRÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR DE TEMPÉRATURE INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D'UNE TEMPÉRATURE AU MOYEN D'UN CAPTEUR DE TEMPÉRATURE INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN) An integrated temperature sensor comprises a chip package (300) enclosing an integrated circuit (100) and an ultrasonic transceiver (200) which is integrated on top of the integrated circuit (200). The ultrasonic transceiver (200) comprises a transmitting element (210) which is arranged for emitting ultrasound waves, and a receiving element (220) which is arranged for receiving ultrasound waves. The chip package (300) comprises at least one barrier (310) arranged at a defined position in the chip package (300). The barrier (310) is designed to at least partly reflect ultrasound waves emitted by the transmitting element (210) towards the receiving element (220). The integrated circuit (100) comprises means (120) to actuate the transmitting element (210) to emit ultrasound waves according to a first signal s (t), and means (130) to convert an ultrasound wave, received by the receiving element (220), into a second signal y(t). Furthermore, a method for producing an integrated temperature sensor and a method for determining a temperature by means of an integrated temperature sensor are presented.
(FR) L'invention concerne un capteur de température intégré comprenant un boîtier de puce (300) qui renferme un circuit intégré (100) et un émetteur-récepteur d'ultrasons (200) qui est intégré sur le dessus du circuit intégré (200). L'émetteur-récepteur d'ultrasons (200) comprend un élément d'émission (210) qui est disposé de manière à émettre des ondes ultrasonores, et un élément de réception (220) qui est disposé de manière à recevoir des ondes ultrasonores. Le boîtier de puce (300) comprend au moins une barrière (310) disposée à une position définie dans le boîtier de puce (300). La barrière (310) est conçue pour réfléchir au moins partiellement les ondes ultrasonores émises par l'élément d'émission (210) vers l'élément de réception (220). Le circuit intégré (100) comprend des moyens (120) servant à actionner l'élément d'émission (210) pour émettre des ondes ultrasonores selon un premier signal s(t) et des moyens (130) destinés à convertir une onde ultrasonore, reçue par l'élément de réception (220), en un deuxième signal y(t). L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un capteur de température intégré et un procédé de détermination d'une température au moyen d'un capteur de température intégré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)