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1. (WO2018054377) TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Pub. No.:    WO/2018/054377    International Application No.:    PCT/CN2017/103350
Publication Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Sep 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/778
H01L 21/335
Applicants: SOUTH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
南方科技大学
SUZHOU COGENDA ELECTRONICS CO., LTD.
苏州珂晶达电子有限公司
Inventors: JIANG, Lingli
蒋苓利
SHEN, Chen
沈忱
YU, Hongyu
于洪宇
LI, Tao
李涛
JI, Dongmei
纪冬梅
Title: TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abstract:
L'invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons et son procédé de préparation. Le transistor à haute mobilité d'électrons comprend : un substrat (10); une couche semi-conductrice (20) disposée sur le substrat (10), la couche semi-conductrice (20) comprenant une structure hétérogène et un gaz d'électrons bidimensionnel étant formé sur une interface hétérogène; une électrode de source (30) et une électrode de drain (40) disposées sur la couche de semi-conducteur (20); une première couche diélectrique (50) disposée sur la couche semi-conductrice (20) entre l'électrode de source (30) et l'électrode de drain (40); une grille flottante (60) située au-dessus de la première couche diélectrique (50); une seconde couche diélectrique (70) recouvrant la grille flottante (60) et la première couche diélectrique (50); et une grille de commande (80) disposée sur la seconde couche diélectrique (70).