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1. (WO2018054287) CIRCUIT D'ATTAQUE DE TUBE DE COMMUTATION
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N° de publication : WO/2018/054287 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/102277
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
CIB :
H02M 1/08 (2006.01)
Déposants : SENGLED CO., LTD.[CN/CN]; Room 201/15, Building #1 No. 498 Guoshoujing Road Pilot Free Trade Zone Shanghai 201203, CN
Inventeurs : TIAN, Zhibin; CN
SHEN, Jinxiang; CN
Mandataire : LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM; 8F-6, Bldg. A, Winland International Center No. 32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082, CN
Données relatives à la priorité :
201610852800.526.09.2016CN
Titre (EN) SWITCH-TUBE DRIVER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE TUBE DE COMMUTATION
Abrégé : front page image
(EN) A switch-tube driver circuit is provided, comprising: a first field effect tube, a control element, a first time delay circuit, and a second time delay circuit. The first time delay circuit comprises: a first resistor and a first capacitor. The second time delay circuit comprises: a second resistor and a second capacitor. A gate electrode of the first field effect tube is connected to the signal input interface, a source electrode of the first field effect tube is connected to ground, and a drain electrode of the first field tube is connected to an end of the first transistor, an end of the first capacitor, and a first end of the control element, respectively. The other end of the first resistor accesses a bias voltage and is connected to an end of the second resistor, and the other end of the first capacitor is connected to ground.
(FR) L'invention concerne un circuit d'attaque de tube de commutation, comprenant : un premier tube à effet de champ, un élément de commande, un premier circuit retardateur et un second circuit retardateur. Le premier circuit retardateur comprend : une première résistance et un premier condensateur. Le second circuit retardateur comprend : une seconde résistance et un second condensateur. Une électrode de grille du premier tube à effet de champ est connectée à l'interface d'entrée de signal, une électrode de source du premier tube à effet de champ est connectée à la masse, et une électrode de drain du premier tube à effet de champ est connectée à une extrémité du premier transistor, à une extrémité du premier condensateur, et à une première extrémité de l'élément de commande, respectivement. L'autre extrémité de la première résistance accède à une tension de polarisation et est connectée à une extrémité de la seconde résistance, et l'autre extrémité du premier condensateur est connectée à la masse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)