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1. (WO2018052697) ARCHITECTURE POUR AMÉLIORER LA CAPACITÉ D'ÉCRITURE DANS UNE MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/052697 N° de la demande internationale : PCT/US2017/048920
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 28.08.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 03.07.2018
CIB :
G11C 11/419 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 5/14 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
417
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
419
Circuits de lecture-écriture (R-W)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
5
Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
02
Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
5
Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
14
Dispositions pour l'alimentation
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : RAJ, Pradeep; US
GUPTA, Sharad Kumar; US
SAHU, Rahul; US
HOLLA VAKWADI, Lakshmikantha; US
Mandataire : HODGES, Jonas J.; US
GELFOUND, Craig A.; US
BINDSEIL, James; US
Données relatives à la priorité :
15/269,62019.09.2016US
Titre (EN) ARCHITECTURE TO IMPROVE WRITE-ABILITY IN SRAM
(FR) ARCHITECTURE POUR AMÉLIORER LA CAPACITÉ D'ÉCRITURE DANS UNE MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM)
Abrégé :
(EN) A memory and apparatus are disclosed. The memory includes a memory core having a plurality of memory cells. The memory also includes a first write assist circuit configured to assist writing to a first group of the plurality of memory cells of the memory core. Additionally, the memory includes a second write assist circuit configured to assist writing to a second group of the plurality of memory cells of the memory core. The apparatus includes at least one processor. The apparatus also includes a memory array. The memory array includes a memory core having a plurality of memory cells. The memory also includes a first write assist circuit configured to assist writing to a first group of the plurality of memory cells of the memory core and a second write assist circuit configured to assist writing to a second group of the plurality of memory cells of the memory core.
(FR) L'invention concerne une mémoire et un appareil. La mémoire comprend un coeur de mémoire ayant une pluralité de cellules de mémoire. La mémoire comprend également un premier circuit d'aide à l'écriture configuré pour aider à écrire dans un premier groupe de la pluralité de cellules de mémoire du cœur de mémoire. De plus, la mémoire comprend un second circuit d'aide à l'écriture configuré pour aider à écrire dans un second groupe de la pluralité de cellules de mémoire du cœur de mémoire. L'appareil comprend au moins un processeur. L'appareil comprend également un réseau de mémoire. Le réseau de mémoire comprend un cœur de mémoire ayant une pluralité de cellules de mémoire. La mémoire comprend également un premier circuit d'aide à l'écriture configuré pour aider à écrire dans un premier groupe de la pluralité de cellules de mémoire du cœur de mémoire et un second circuit d'aide à l'écriture configuré pour aider à écrire dans un second groupe de la pluralité de cellules de mémoire du cœur de mémoire.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)