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1. (WO2018052651) CONDENSATEURS ENROULÉS À ÉLECTRODE DESTINÉS À DES APPLICATIONS RADIOFRÉQUENCES (RF)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/052651    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/047529
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 18.08.2017
CIB :
H01L 49/02 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : YUN, Changhan Hobie; (US).
GU, Shiqun; (US).
LAN, Je-Hsiung Jeffrey; (US).
KIM, Jonghae; (US).
MUDAKATTE, Niranjan Sunil; (US).
BERDY, David Francis; (US).
VELEZ, Mario Francisco; (US).
ZUO, Chengjie; (US)
Mandataire : LENKIN, Alan M.; (US).
LUTZ, Joseph; (US).
PARTOW-NAVID, Puya; (US).
FASHU-KANU, Alvin V.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/396,754 19.09.2016 US
15/350,969 14.11.2016 US
Titre (EN) ELECTRODE WRAP-AROUND CAPACITORS FOR RADIO FREQUENCY (RF) APPLICATIONS
(FR) CONDENSATEURS ENROULÉS À ÉLECTRODE DESTINÉS À DES APPLICATIONS RADIOFRÉQUENCES (RF)
Abrégé : front page image
(EN)A capacitor may include a first capacitor plate having a first length. The capacitor may also include an inorganic capacitor dielectric layer on sidewalls and a surface of the first capacitor plate and a second capacitor plate on the inorganic capacitor dielectric layer. The second capacitor plate may have a second length less than the first length of the first capacitor plate. The capacitor may also include a conductive contact landing directly on the first capacitor plate. The conductive contact may land directly on the first capacitor plate by extending through the inorganic capacitor dielectric layer and an organic interlayer dielectric supported by the inorganic capacitor dielectric layer.
(FR)L'invention porte sur un condensateur qui peut comprendre une première plaque de condensateur présentant une première longueur. Le condensateur peut également comprendre une couche diélectrique de condensateur inorganique sur des parois latérales et une surface de la première plaque de condensateur et une seconde plaque de condensateur sur la couche diélectrique de condensateur inorganique. La seconde plaque de condensateur peut présenter une seconde longueur inférieure à la première longueur de la première plaque de condensateur. Le condensateur peut en outre comprendre un contact conducteur reposant directement sur la première plaque de condensateur. Le contact conducteur peut reposer directement sur la première plaque de condensateur en s'étendant sur l'ensemble de la couche diélectrique de condensateur inorganique et d'un diélectrique intercouche organique soutenu par la couche diélectrique de condensateur inorganique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)