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1. (WO2018052642) CHAMBRE UNIQUE DE DÉPÔT D'OXYDE DE MÉTAL
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N° de publication :    WO/2018/052642    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/047396
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 17.08.2017
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01), C23C 14/18 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : SUBRAMANI, Anantha K.; (US).
GOPALRAJA, Praburam; (US).
GUNG, Tza-Jing; (US).
PONNEKANTI, Hari K.; (US).
KRAUS, Philip Allan; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US).
TACKETT, Keith M.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/393,980 13.09.2016 US
Titre (EN) A SINGLE OXIDE METAL DEPOSITION CHAMBER
(FR) CHAMBRE UNIQUE DE DÉPÔT D'OXYDE DE MÉTAL
Abrégé : front page image
(EN)Implementations described herein generally relate to metal oxide deposition in a processing chamber. More specifically, implementations disclosed herein relate to a combined chemical vapor deposition and physical vapor deposition chamber. Utilizing a single oxide metal deposition chamber capable of performing both CVD and PVD advantageously reduces the cost of uniform semiconductor processing. Additionally, the single oxide metal deposition system reduces the time necessary to deposit semiconductor substrates and reduces the foot print required to process semiconductor substrates. In one implementation, the processing chamber includes a gas distribution plate disposed in a chamber body, one or more metal targets disposed in the chamber body, and a substrate support disposed below the gas distribution plate and the one or more targets.
(FR)Selon certains modes de réalisation, cette invention concerne généralement le dépôt d'oxyde métallique dans une chambre de traitement. Plus spécifiquement, selon certains modes de réalisation, l'invention concerne une chambre combinée de dépôt chimique en phase vapeur et de dépôt physique en phase vapeur. L'utilisation d'une chambre unique de dépôt d'oxyde de métal capable de réaliser à la fois un dépôt chimique en phase vapeur et un dépôt physique en phase vapeur réduit avantageusement le coût du traitement uniforme des semi-conducteurs. De plus, le système unique de dépôt d'oxyde de métal réduit le temps nécessaire à déposer des substrats semi-conducteurs et réduit l'empreinte environnementale du traitement des substrats semi-conducteurs. Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement comprend une plaque de distribution de gaz disposée dans un corps de chambre, une ou plusieurs cible(s) métallique(s) disposée(s) dans le corps de chambre, et un support de substrat disposé au-dessous de la plaque de distribution de gaz et de ladite/desdites cible(s).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)